--- 产品参数 ---
- 沟道 N+P沟道
- 封装 SOT23-6封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
DMC2038LVT-7-F (VB5222)参数说明:极性:N+P沟道;额定电压:±20V;最大电流:7A / -4.5A;导通电阻:20mΩ / 70mΩ @ 4.5V, 29mΩ / 106mΩ @ 2.5V;门源电压范围:20Vgs (±V)阈值电压:0.71V / -0.81V;封装:SOT23-6

应用简介:DMC2038LVT-7-F (VB5222) 是一款N+P沟道MOSFET,适用于需要控制双极性电流的应用。
其低导通电阻使其在电流控制电路中具有良好的性能。
常用于H桥电路、电机驱动、功率放大等。
优势:双极性应用:适用于需要控制双极性电流的电路。
低导通电阻:有助于降低功耗,提高效率。
适用封装:SOT23-6封装适合空间有限的设计。
适用模块:DMC2038LVT-7-F (VB5222) 可用于双极性电流控制模块,如H桥电路、电机驱动模块等。
为你推荐
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:26
产品型号:BUK661R9-40C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:23
产品型号:BUK661R8-30C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:20
产品型号:BUK661R6-30C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:16
产品型号:BUK6610-75C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:14
产品型号:BUK6607-55C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK654R8-40C-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 16:56
产品型号:BUK654R8-40C-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK654R6-55C-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 16:51
产品型号:BUK654R6-55C-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK654R0-75C-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 16:50
产品型号:BUK654R0-75C-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK653R7-30C-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 16:47
产品型号:BUK653R7-30C-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK653R5-55C-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 16:35
产品型号:BUK653R5-55C-VB 封装:TO220 沟道:Single-N