--- 产品参数 ---
- 类型 2个N沟道
- 最大耐压 30V
- 最大漏极电流 8.5A
- 导通时的电阻 20mΩ@10V, 12mΩ@4.5V
- 栅极电压(Vgs) ±20V
- 阈值电压(Vth) 1.5V
- 封装 SOP8
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号 AO4818丝印 VBA3316品牌 VBsemi参数 2个N沟道,30V,8.5A,RDS(ON),20mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V);SOP8该产品具有以下详细参数说明 类型 2个N沟道功率场效应管 最大耐压 30V 最大漏极电流 8.5A 导通时的电阻(RDS(ON)) 20mΩ@10V, 12mΩ@4.5V 栅极电压(Vgs)范围 ±20V 阈值电压(Vth) 1.5V 封装 SOP8该产品适用于以下领域模块 电源开关 AO4818可用于电源开关模块中,用于电源的控制和转换。 电流控制 适用于需要控制电流的模块,提供稳定的电流放大和电路控制能力。 电压稳定 可用于电压稳定模块,提供稳定的输出电压和电路控制。 电源管理 适用于电源管理模块中,实现电源开关、电池管理和电路保护等功能。综上所述,AO4818适用于电源开关、电流控制、电压稳定和电源管理等领域模块。
为你推荐
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:26
产品型号:BUK661R9-40C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:23
产品型号:BUK661R8-30C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:20
产品型号:BUK661R6-30C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:16
产品型号:BUK6610-75C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:14
产品型号:BUK6607-55C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK654R8-40C-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 16:56
产品型号:BUK654R8-40C-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK654R6-55C-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 16:51
产品型号:BUK654R6-55C-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK654R0-75C-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 16:50
产品型号:BUK654R0-75C-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK653R7-30C-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 16:47
产品型号:BUK653R7-30C-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK653R5-55C-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 16:35
产品型号:BUK653R5-55C-VB 封装:TO220 沟道:Single-N