企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.3w 内容数 84w+ 浏览量 14 粉丝

MTB12N03Q8-VB一款SOP8封装N-Channel场效应MOS管

型号: MTB12N03Q8-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、MTB12N03Q8-VB 产品简介  

MTB12N03Q8-VB 是一款采用 **SOP8 封装**的 **单 N 沟道 (Single N-Channel)** MOSFET,专为紧凑型电子设备和功率管理应用设计。该器件支持最大 **30V** 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS),能够处理高达 **13A** 的漏极电流。凭借其先进的 **Trench 技术**,在 **VGS = 4.5V** 下的导通电阻仅为 **11mΩ**,而在 **VGS = 10V** 下更低至 **8mΩ**,显著降低了导通损耗和热耗散。MTB12N03Q8-VB 适用于对体积、效率和开关性能要求高的应用,如便携式电子产品、直流电机驱动及负载开关模块。

---

### 二、MTB12N03Q8-VB 详细参数说明  

| 参数                 | 规格                           |
|--------------------|------------------------------|
| **封装**             | SOP8                         |
| **配置**             | Single N-Channel             |
| **漏源电压 (VDS)**    | 30 V                        |
| **栅源电压 (VGS)**    | ±20 V                       |
| **阈值电压 (Vth)**     | 1.7 V                       |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 11 mΩ @ VGS = 4.5 V         |
|                       | 8 mΩ @ VGS = 10 V           |
| **漏极电流 (ID)**      | 13 A                        |
| **技术**             | Trench                      |

该 MOSFET 的低阈值电压 (Vth) 和低导通电阻使其特别适合低压驱动和高效开关应用,能够在高频电路中实现快速导通和截止,提升系统效率。

---

### 三、应用领域与模块  

1. **便携式电子产品**  
  在笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携式电子设备中,MTB12N03Q8-VB 可用于电源管理和负载开关模块,以确保电路高效工作,延长电池续航时间。

2. **直流电机驱动**  
  该器件适用于直流电机驱动应用,如无人机和电动工具中的电机控制模块。其低 RDS(ON) 降低了功耗,提高了系统效率。

3. **电池管理系统 (BMS)**  
  在电池管理系统中,MTB12N03Q8-VB 可用于开关电路,以实现对电池充放电的精确控制,保障系统的稳定性和电池的寿命。

4. **LED 驱动器**  
  该 MOSFET 也常用于 LED 驱动电路中,尤其是在大电流驱动场景下,如车用照明系统和显示屏驱动,确保 LED 的亮度和寿命。

5. **电源模块和 DC-DC 转换器**  
  在 DC-DC 转换器和开关电源中,MTB12N03Q8-VB 提供了优良的开关性能和低功耗表现,适合于多种消费类和工业电源应用。

凭借其出色的性能和小巧的 SOP8 封装,MTB12N03Q8-VB 在高密度电子设备和高效率电源管理中有着广泛的应用。

为你推荐