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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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MMSF5N02HDR2G-VB一款SOP8封装N-Channel场效应MOS管

型号: MMSF5N02HDR2G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、MMSF5N02HDR2G-VB 产品简介  

MMSF5N02HDR2G-VB 是一款 **单 N 沟道 (Single N-Channel)** MOSFET,采用 **SOP8 封装**,专为高性能电源管理和开关应用而设计。该器件具有 **30V** 的最大漏源电压 (VDS),并能够在 **±20V** 的栅源电压 (VGS) 下运行,适用于多种工作环境。采用 **Trench 技术**,该 MOSFET 的导通电阻 (RDS(ON)) 在 **4.5V** 栅压下为 **11mΩ**,在 **10V** 栅压下为 **8mΩ**,展现出出色的电流控制能力,最大漏极电流达到 **13A**。这使得它在低功耗应用中表现卓越,能够有效降低能耗,提高设备的整体效率。

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### 二、MMSF5N02HDR2G-VB 详细参数说明  

| 参数            | 规格                       |
|----------------|---------------------------|
| **封装**        | SOP8                      |
| **配置**        | Single N-Channel          |
| **漏源电压 (VDS)** | 30 V                     |
| **栅源电压 (VGS)** | ±20 V                   |
| **阈值电压 (Vth)** | 1.7 V                   |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 11 mΩ @ VGS = 4.5 V
8 mΩ @ VGS = 10 V |
| **漏极电流 (ID)**   | 13 A                    |
| **技术**        | Trench                    |

该 MOSFET 低导通电阻和高电流能力使其适合高效能和高可靠性的电气应用,极大地提升了系统的效率和性能。

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### 三、应用领域与模块  

1. **电源管理**  
  - **DC-DC 转换器**:MMSF5N02HDR2G-VB 作为开关元件,适用于降压、升压及反相电源转换,能够有效提升系统的能效,降低功耗。  
  - **电池管理系统**:在电池充电和放电过程中,用于控制电流的流向,保护电池不受损坏,确保其安全性和寿命。

2. **消费电子**  
  - **便携式电子设备**:应用于智能手机、平板电脑等设备的电源开关,帮助提高电池的续航能力。  
  - **LED 照明**:作为 LED 驱动电路中的开关,能够实现对 LED 光源的精准控制,满足不同亮度需求。

3. **汽车电子**  
  - **电动窗和车灯控制**:MMSF5N02HDR2G-VB 可用于汽车中各种电动设备的驱动,确保在高电流条件下的可靠性和响应速度。  
  - **混合动力和电动汽车**:在电机控制和电池管理中作为高效的开关,优化能源使用效率。

4. **工业控制**  
  - **自动化设备**:在工业自动化和机器人应用中,作为电机控制和负载开关,提高操作效率和响应速度。  
  - **电力开关**:用于各种电源切换和控制模块,保证设备在不同工况下的稳定运行。

MMSF5N02HDR2G-VB 凭借其卓越的电气性能和高效能,广泛应用于电源管理、消费电子、汽车电子和工业控制等多个领域,满足了现代电子设备对高性能和高可靠性的需求。

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