--- 产品参数 ---
- 封装 TO220
- 沟道 Single-P
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
## 产品简介
**型号:BTS100-VB**
BTS100-VB是一款高性能单P沟道MOSFET,封装类型为TO220。它专为需要高耐压和高电流能力的应用设计,能够在-60V的漏源电压下稳定工作。凭借其较低的导通电阻和出色的电流承载能力,这款MOSFET非常适合用于电源开关、负载控制和高电流开关等应用,能够有效提高系统的可靠性和效率。
## 详细参数说明
- **封装类型**:TO220
- **配置**:单P沟道
- **漏源电压 (VDS)**:-60V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:-1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 74mΩ @ VGS=4.5V
- 62mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:-40A
- **技术**:Trench

## 应用领域和模块示例
**1. 电源开关**
BTS100-VB适用于高电流电源开关应用,如电源管理模块中的负载开关。其高耐压和低导通电阻特性确保了高效的功率传输和开关性能,特别是在需要处理较高电压和电流的场合。
**2. 电动汽车**
在电动汽车的电池管理系统和电动机控制模块中,BTS100-VB可以用作高电流开关和负载控制。这款MOSFET能够处理较高的电流和电压,确保系统的高效能和稳定性。
**3. 工业控制**
在工业控制系统中,如电机驱动和电流保护电路,BTS100-VB能够提供可靠的负载开关功能。其低导通电阻和高电流承载能力使其适合用于要求高效能和耐用性的应用。
**4. 通信设备**
在通信设备中的电源管理模块,特别是用于高电流电源的场合,BTS100-VB能够提供稳定的开关性能。由于其高耐压特性,适合用于保护电源和电流控制电路。
通过上述应用实例可以看出,BTS100-VB凭借其优越的电流承载能力、低导通电阻和高耐压特性,在需要高效电源开关和负载控制的多种领域中具有广泛应用。
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