### 一、BSZ100N03LS G-VB产品简介
BSZ100N03LS G-VB是一款采用先进沟槽技术的单N沟道MOSFET，封装类型为DFN8(3x3)。该器件具有出色的导通电阻和低栅极电荷，适用于需要高效率和高开关速度的应用。其最大漏源电压为30V，栅源电压为±20V，导通电阻在不同栅极驱动电压下分别为19mΩ（VGS=4.5V）和13mΩ（VGS=10V），最大连续漏极电流为30A。适用于直流-直流转换器、功率管理、负载开关和电机驱动等领域。
### 二、BSZ100N03LS G-VB详细参数说明
| 参数 | 值 |
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| 封装类型 | DFN8(3x3) |
| 配置 | 单N沟道 |
| 最大漏源电压 (VDS) | 30V |
| 最大栅源电压 (VGS) | ±20V |
| 阈值电压 (Vth) | 1.7V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 19mΩ @ VGS=4.5V
13mΩ @ VGS=10V |
| 最大漏极电流 (ID) | 30A |
| 技术 | 沟槽技术 |
### 三、应用领域和模块举例
1. **直流-直流转换器（DC-DC Converter）**：BSZ100N03LS G-VB由于其低导通电阻和高电流能力，适合用于高效率的直流-直流转换器中，如笔记本电脑、便携式设备和通信设备中的电源管理模块。这些转换器需要快速响应和低功耗的MOSFET，以提高系统整体效率。
2. **功率管理模块（Power Management）**：在各种电子设备的电源管理中，这款MOSFET可用于电压稳压器和负载开关。其高电流处理能力和低导通电阻使其在需要高效功率转换和管理的应用中表现出色，如智能手机、平板电脑和工业控制系统。
3. **负载开关（Load Switch）**：BSZ100N03LS G-VB的高开关速度和低导通电阻使其成为负载开关应用的理想选择。它可以有效地控制电源的通断，适用于计算机主板、服务器和其他需要精确电源控制的设备。
4. **电机驱动（Motor Drive）**：这款MOSFET在电机驱动应用中表现出色，尤其是用于无刷直流电机（BLDC）和步进电机的驱动电路。其高电流容量和低导通电阻有助于降低电机驱动中的功耗，提高系统的可靠性和效率。
