--- 产品参数 ---
- 封装 DFN8(3X3)
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、产品简介
**型号:BSZ088N03MS G-VB**
- **封装类型**:DFN8 (3x3)
- **配置**:单N沟道MOSFET
- **技术**:沟槽式
BSZ088N03MS G-VB 是一款高效能的N沟道MOSFET,采用了先进的沟槽技术。这款MOSFET具备低导通电阻、较高的电流处理能力及稳定的栅极驱动电压,适用于多种电源管理和开关应用。其紧凑的DFN8 (3x3)封装使其特别适合于空间受限的应用场合。
### 二、详细参数说明
- **封装类型**:DFN8 (3x3)
- **配置**:单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**:30V
- **栅极-源极电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 4.5V 栅极驱动电压时:5mΩ
- 10V 栅极驱动电压时:3.9mΩ
- **漏极电流 (ID)**:60A
- **技术**:沟槽式

### 三、应用领域及模块举例
**1. 电源管理**
- **领域**:消费电子、电信设备、计算机和服务器
- **模块**:DC-DC转换器、负载开关、同步整流器
- **说明**:BSZ088N03MS G-VB 的低导通电阻和高电流处理能力使其非常适合用于DC-DC转换器中,以提高能效并减少功率损耗。在负载开关应用中,这款MOSFET能够提供高效的开关性能,适用于需要频繁切换的大电流应用。在同步整流器中,它的低导通电阻可以显著减少整流损耗。
**2. 汽车电子**
- **领域**:电动汽车、车载信息娱乐系统、汽车照明
- **模块**:电机驱动、电子控制单元 (ECU)、LED驱动器
- **说明**:在电动汽车的电机驱动中,BSZ088N03MS G-VB 能够处理高电流,提供稳定的性能,确保电机高效运行。在汽车的电子控制单元 (ECU) 中,这款MOSFET 能够处理复杂的电源管理任务,提供可靠的操作。在LED驱动器中,它的高效能和低热损耗有助于延长LED的使用寿命。
**3. 工业应用**
- **领域**:工业自动化、智能电网、机器人
- **模块**:电源模块、控制系统、驱动电路
- **说明**:在工业自动化和智能电网应用中,BSZ088N03MS G-VB 的高电流处理能力和低导通电阻能够确保系统高效运行和低能耗。在机器人应用中,它能够提供稳定和高效的电力驱动,使机器人各部件协同工作更加顺畅。
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