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直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):4A;正向压降(Vf):1.3V@4A;反向电流(Ir):5uA@1kV;正向浪涌电流(Ifsm):95A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
MDD
无卤
LGE
直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):1.0V@1A 反向电流(Ir):10uA@600V 正向浪涌电流(Ifsm):50A 工作温度:-65℃~+150℃@(Tj)
LGE
直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):1.1V@10A;反向电流(Ir):5uA@600V;正向浪涌电流(Ifsm):220A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
Pan Jit
直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):800mA;正向压降(Vf):1V@800mA;反向电流(Ir):5uA@1kV;正向浪涌电流(Ifsm):35A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
Haolin
Taiwan Semiconductor
直流反向耐压(Vr):800V;平均整流电流(Io):6A;正向压降(Vf):1V@3A;反向电流(Ir):5uA@800V;正向浪涌电流(Ifsm):175A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
YANGJIE
直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):800mA;正向压降(Vf):1.1V@800mA;反向电流(Ir):5uA@1kV;正向浪涌电流(Ifsm):30A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
UMW
直流反向耐压(Vr):800V;平均整流电流(Io):6A;正向压降(Vf):1V@3A;反向电流(Ir):5uA@800V;正向浪涌电流(Ifsm):150A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
YANGJIE
直流反向耐压(Vr):800V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):1.1V@3A;反向电流(Ir):10uA@800V;正向浪涌电流(Ifsm):90A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
PINGWEI