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直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):50A;正向压降(Vf):1.1V@25A;反向电流(Ir):10uA@1kV;正向浪涌电流(Ifsm):500A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
YANGJIE
直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):4A;正向压降(Vf):1.05V@2A;反向电流(Ir):10uA@1kV;正向浪涌电流(Ifsm):135A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
JF
直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1V@1A;反向电流(Ir):10uA@600V;正向浪涌电流(Ifsm):35A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
JSCJ
Taiwan Semiconductor
直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):6A;正向压降(Vf):1.1V@6A;反向电流(Ir):5uA@1kV;正向浪涌电流(Ifsm):175A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
PINGWEI
直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):8A;正向压降(Vf):1V@4A;反向电流(Ir):5uA@100V;正向浪涌电流(Ifsm):200A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
Jingdao
平均整流电流(Io):50A;正向浪涌电流(Ifsm):500A;正向压降(Vf):1.1V 25A;工作结温(Tj):-55℃~+150℃;工作结温(Tj):-55℃~+150℃;直流反向耐压(Vr):600V;反向电流(Ir):10uA 600V;
YANGJIE
直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):8A;正向压降(Vf):1V@4A;反向电流(Ir):5uA@600V;正向浪涌电流(Ifsm):200A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
Jingdao
直流反向耐压(Vr):800V;平均整流电流(Io):3.5A;正向压降(Vf):1.1V@3.5A;反向电流(Ir):5uA@800V;正向浪涌电流(Ifsm):90A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
Jingdao
直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):4A;正向压降(Vf):1V@2A;反向电流(Ir):5uA@600V;正向浪涌电流(Ifsm):135A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
YANGJIE