三菱电机于1997年将DIPIPM正式推向市场,迄今已在家电、工业和汽车空调等领域获得了广泛应用。在....
三菱电机于1997年将DIPIPM正式推向市场,迄今已在家电、工业和汽车空调等领域获得了广泛应用。在....
为了安全使用SiC模块,需要计算工作条件下的功率损耗和结温,并在额定值范围内使用。MOSFET损耗计....
三菱电机集团近日宣布与GE Vernova公司(美国马萨诸塞州剑桥)签署谅解备忘录,强化双方在高压直....
截至2025年3月31日的财年,半导体器件实现了2863亿日元的营收实绩,占三菱电机全业务线的5.2....
在电力电子领域,当多个SiC MOSFET模块并联时,受器件参数、寄生参数等因素影响,会出现动态电流....
通过并联SiC MOSFET功率器件,可以获得更高输出电流,满足更大功率系统的要求。本章节主要介绍了....
量子科技、具身智能、6G等未来产业,都依赖半导体技术的支撑,头部半导体企业拥有长期高增长前景。三菱电....
栅极驱动器是确保SiC MOSFET安全运行的关键,设计栅极驱动电路的关键点包括栅极电阻、栅极电压和....
栅极驱动器是保证SiC MOSFET安全运行的关键,设计栅极驱动电路的关键点包括栅极电阻、栅极电压和....
三菱电机集团今日宣布,将于4月22日开始供应两款新型空调及家电用SLIMDIP系列功率半导体模块样品....
三菱电机集团近日宣布,将于5月1日开始供应其新型XB系列高压绝缘栅双极型晶体管(HVIGBT)模块的....
近日,在“智慧新生态,共赢新时代”2025海尔智家全球供应商合作伙伴大会上,三菱电机凭借为其变频空调....
本文详细介绍了SiC MOSFET的动态特性。包括阈值电压特性、开通和关断特性以及体二极管的反向恢复....
商用的Si MOSFET耐压普遍不超过900V,而SiC拥有更高的击穿场强,在结构上可以减少芯片的厚....
SiC SBD具有高耐压、快恢复速度、低损耗和低漏电流等优点,可降低电力电子系统的损耗并显著提高效率....
SiC芯片可以高温工作,与之对应的连接材料和封装材料都需要相应的变更。三菱电机高压SiC模块支持17....
三菱电机开发了工业应用的NX封装全SiC功率模块,采用低损耗SiC芯片和优化的内部结构,与现有的Si....
三菱电机株式会社近日宣布,将于2月15日起开始提供新型工业用LV100封装1.2kV IGBT模块样....
在Si-IGBT的DIPIPM基础上,三菱电机开发了超小型全SiC DIPIPM,保持相同的封装及管....
三菱电机集团近日宣布,将于12月26日开始提供两款新的S1系列高压绝缘栅双极型晶体管(HVIGBT)....
三菱电机开发了高耐压SiC MOSFET,并将其产品化,率先将其应用于驱动铁路车辆的变流器中,是一家....
1200V级SiC MOSFET是一种能充分发挥SiC优势的器件,广泛应用于工业、汽车等领域。目前,....
三菱电机集团近日宣布,将投资约100亿日元,在日本福冈县的功率器件制作所建设一座新的功率半导体模块封....
栅极氧化层可靠性是SiC器件应用的一个关注点。本节介绍SiC栅极绝缘层加工工艺,重点介绍其与Si的不....
三菱电机集团近日宣布提供用于下一代光收发器的新型200Gbps PIN光电二极管(PD)芯片样品,以....
三菱电机集团近日宣布,其功率器件制作所(Power Device Works)福山工厂即日起开始大规....
本文介绍了为工业应用设计的第8代1800A/1200V IGBT功率模块,该功率模块采用了先进的第8....
SiC是由硅(Si)和碳(C)按1:1的化学计量比组成的晶体,因其内部结构堆积顺序的不同,形成不同的....
与Si材料相比,SiC半导体材料在物理特性上优势明显,比如击穿电场强度高、耐高温、热传导性好等,使其....