三菱电机开始提供工业用第8代IGBT模块样品

工业用LV100封装1.2kV IGBT模块（CM1800DW-24ME）

三菱电机株式会社近日宣布，将于2月15日起开始提供新型工业用LV100封装1.2kV IGBT模块样品，适用于太阳能和其他可再生能源发电系统。该模块采用第8代绝缘栅双极型晶体管（IGBT）芯片，有助于降低太阳能发电系统、储能电池等电源系统中逆变器的功率损耗，提高逆变器的输出功率。

该模块将在第39届电子研发、制造和封装技术博览会（NEPCON JAPAN 2025；1月22-24日，东京国际展览中心）以及北美、欧洲、中国等地的展览上展出。

近年来，作为能够降低碳排放的关键器件，功率半导体的需求正在增加。功率半导体模块可以用于可再生能源的功率转换设备，比如太阳能发电和储能电池等电源系统的逆变器。为了实现低碳社会，提高电源系统的发电和储能效率以及降低系统功耗变得日益重要，因此要求功率半导体模块具有更高的转换效率和输出功率。

三菱电机自1990年推出搭载IGBT的功率半导体模块以来，在消费、汽车、工业和铁路领域得到了广泛应用，以优异的性能和高可靠性受到高度评价。现已开发出的第8代IGBT，具有独特的分离式栅极沟槽（SDA1）和可以控制载流子的等离子体层（CPL2）结构。

与现有产品3相比，采用第8代IGBT芯片的新型LV100封装1.2kV模块可将太阳能发电系统、储能电池等逆变器的功耗降低约15%4。此外，通过优化IGBT和二极管芯片布局，实现了1800A的额定电流，是上述现有产品的1.5倍，有助于提高逆变器的输出功率。此外，该模块的传统封装易于并联连接，可以兼容多种功率等级的逆变器设计。

随着对功率半导体需求的增加，三菱电机期待在各个领域降低电力电子设备的能耗，并快速稳定地提供此类产品，以支持绿色转型（GX）。

产 品 特 点

搭载第8代IGBT，使逆变器功率损耗降低15%

与第7代IGBT相比，独特的SDA结构有助于抑制dv/dt5，并实现更高的开关速度，有望降低导通开关损耗。

独特的CPL结构抑制了关断浪涌电压，与第7代IGBT相比芯片更薄。

通过将额定电流提高到1800A，有助于提高逆变器的输出功率

优化的芯片布局实现了1800A的额定电流，是现有产品3的1.5倍。

利用现有的LV100封装简化并联设计

采用现有封装简化了并联设计，可以兼容多种功率等级的逆变器设计。

使用现有封装简化了现有产品的替换，缩短了逆变器的设计过程。

主要规格

网站

有关功率器件的更多信息，请访问www.MitsubishiElectric.com/semiconductors/powerdevices/

1 SDA：通过将栅极沟槽分为两个阶段来优化栅极容量

2 CPL：在芯片背面形成深N层，以在动态下提供载流子控制

3 与CM1200DW-24T进行比较

4 基于三菱电机仿真结果：3电平A-NPC，Vcc=750V，Io=920Arms，M=0.65，PF=1，Fc=2.5kHz，Fo=50Hz

5 dv/dt：电压值随时间的变化量

6Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment

关于三菱电机

三菱电机创立于1921年，是全球知名的综合性企业。截至2024年3月31日的财年，集团营收52579亿日元（约合美元348亿）。作为一家技术主导型企业，三菱电机拥有多项专利技术，并凭借强大的技术实力和良好的企业信誉在全球的电力设备、通信设备、工业自动化、电子元器件、家电等市场占据重要地位。尤其在电子元器件市场，三菱电机从事开发和生产半导体已有68年。其半导体产品更是在变频家电、轨道牵引、工业与新能源、电动汽车、模拟/数字通讯以及有线/无线通讯等领域得到了广泛的应用。