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长鑫存储DRAM项目正式首次投片,国产DRAM在大力的突破

jXID_bandaotigu ? 来源:未知 ? 作者:工程师郭婷 ? 2018-07-23 17:12 ? 次阅读
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据国际电子商情,日前,消息称长鑫存储DRAM项目正式首次投片,启动试产8Gb DDR4工程样品。这将是第一个中国自主研发的DRAM芯片。与此同时,长鑫存储和睿力集成的新CEO上任,据可靠消息,此位CEO正是兆易创新的董事长朱一明先生。现在,存储器投片、管理者就位,这似乎预示着长鑫存储的国产DRAM正式踏上征程。

国产DRAM突破

目前,国内DRAM厂商主要有紫光国芯、福建晋华、合肥长鑫、长江存储等。紫光国微旗下的西安紫光国芯目前最新DDR4芯片已经小批量产。福建晋华计划于2018年下半年量产。合肥长鑫的DRAM项目计划2018年底量产,长江存储的DRAM进度则稍慢,目前2018年内NAND FLASH小规模量产。另外,紫光南京半导体基地也计划生产DRAM。

西安紫光国芯的前身是西安华芯半导体,2015年被紫光集团旗下紫光国芯(现更名紫光国微)收购,西安华芯则是浪潮集团2009年通过收购奇梦达科技(西安)有限公司而成立,奇梦达原为英飞凌科技存储器事业部拆分独立而来。西安紫光国芯的核心业务是存储器设计开发,自有品牌存储器产品量产销售,以及专用集成电路设计开发服务。

福建晋华集成电路由福建省电子信息集团、晋江能源投资集团有限公司等共同出资设立,与***联华电子开展技术合作,在福建省晋江市建设12吋内存晶圆厂生产线,开发先进存储器技术和制程工艺,并开展相关产品的制造和销售。由台联电出技术,晋华提供设备与资金,在晋江生产。主要生产利基型DRAM产品,采用32纳米工艺制程。

长鑫存储DRAM项目正式首次投片,国产DRAM在大力的突破

合肥长鑫则是由合肥市政府支持,兴建12寸晶圆厂发展DRAM产品,2018年初位于合肥空港经济示范区的长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目的300台研发设备已全部到位,2018年7月投片试产,工艺制程为19纳米。

按照合肥长鑫存储器项目的5年规划:2018年1月一厂厂房建设完成,并开始设备安装;2018年底量产8Gb DDR4工程样品;2019年3季度量产8Gb LPDDR4;2019年底实现产能2万片/月;2020年开始规划二厂建设;2021年完成17纳米技术研发。

长鑫存储也是全球第四家DRAM产品采用20纳米以下工艺的厂商。另外三家是目前DRAM存储的三大巨头,三星、SK海力士、美光。这三家的DRAM全球市占率超过95%。

据预计,长鑫12寸存储器晶圆制造项目投产后,将占据世界DRAM市场约8%的份额。然而,无论是福建晋华的合作共赢,还是紫光对存储的布局,以及长鑫存储的快速发展、领先的工艺制程等,不难看出,中国DRAM存储器发展的决心,当然面对如今的DRAM市场的霸主格局,也必将经历一场虎口夺食的竞争。

长鑫存储、睿力集成、兆易创新

国际电子商情注意到,7月16日北京兆易创新公告称,朱一明先生辞去公司总经理一职,将继续担任公司董事长。朱一明先生所负责的工作已平稳交接,其辞职不会对公司的生产经营产生重大不利影响。公司聘任何卫先生为公司代理总经理,任期至第二届董事会任期届满之日止。

据可靠消息,此次朱一明辞职兆易创新总经理后,将上任合肥长鑫存储及睿力CEO一职,引领合肥长鑫的DRAM项目持续发展。

7月份,在长鑫存储DRAM项目正式投片总结大会上,合肥长鑫董事长、原睿力CEO王宁国正式把长鑫存储以及睿力CEO的职位交给朱一明。经过合肥市委、集成电路产业基金(大基金)的批准,朱一明将全职担任长鑫存储、睿力CEO职位,他承诺在合肥长鑫盈利之前不领一分钱工资、一分钱奖金。

兆易创新曾获得《电子工程专辑》颁发的电子成就奖,朱一明(中)亲自领奖。

合肥长鑫集成电路有限责任公司由合肥市产业投资控股(集团)有限公司出资占比99.75%,合肥产投新兴战略产业发展合伙企业(有限合作)出资占比0.25%。

睿力集成电路有限公司为长鑫存储技术有限公司100%出资,而长鑫存储技术有限公司则由合肥锐捷聚成投资中心(有限合伙)出资占比80.10%,由合肥长鑫集成电路出资占比19.9%。

去年底,兆易创新与合肥市产业投资控股(集团)有限公司签署《关于存储器研发项目之合作协议》,约定双方在安徽省合肥市经济技术开发区合作开展工艺制程19nm存储器的12英寸晶圆存储器(含DRAM等)研发项目,项目预算约为180亿元。目标是在2018年12月31日前研发成功,即实现产品良率不低于10%。项目预算达180亿元,兆易创新与合肥产投将根据1∶4的比例负责筹集,兆易创新负责筹集约36亿元。

此次,兆易创新董事长朱一明出任的正是长鑫存储和睿力集成电路的CEO。有了董事长坐阵,兆易创新在DRAM上面的动作或许将更快。其实在NOR FLASH方面,兆易创新就与中芯国际合作,通过战略合作稳定产能供应。相信与合肥长鑫的合作,也将令兆易创新的DRAM产品发展得到一定的保障。就在兆易创新与合肥长鑫达成合作之前,兆易经历了对ISSI的收购失败,不过这并没有改变这家国内IC设计公司发展存储的野心。在一另方面也说明,国产DRAM的发展还是要靠中国的存储产业链走向自主之路。

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原文标题:首个中国自主研发DRAM来自长鑫存储正式投片!

文章出处:【微信号:bandaotiguancha,微信公众号:半导体观察IC】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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