7月17日上午消息,三星今晨宣布,成功开发出业内首款LPDDR5-6400内存芯片,基于10nm级(10~20nm)工艺。据悉,该LPDDR5内存芯片单颗容8Gb(1GB),8GB容量的模组原型也做出并完成功能验证。
其它基本规格还有,内存速度(针脚带宽)最高6400Mbps,是LPDDR4X 4266Mbps的1.5倍。三星称,每秒可以传送51.2GB数据(比如高端手机常见的64bit bus),相当于14部1080P电影(每部3.7GB)。要是PC的128bit BUS,每秒破100GB无压力。
与此同时,功耗比LPDDR4X降低高达30%,主要是得益于动态调节电压、避免无效消耗、深度睡眠等技术加入。
三星的8Gb LPDDR5规格弹性较高,1.1V工作电压下可达6400Mbps,1.05V下可达5500Mbps,供手机、车载平台自行选择。
资料显示,三星在2014年首先成功量产8Gb LPDDR4内存芯片,之后,就开始推进向LPDDR5新标准的过渡。
新的8Gb LPDDR5内存芯片是三星高端DRAM产品线的一部分,后者已经包括10nm级的16Gb GDDR6显存芯片(2017年12月量产)和16Gb DDR5内存芯片(今年2月份开发完成)。
LPDDR5内存芯片将用于移动设备如手机、平板、二合一电脑等,三星称,5G和AI将是其主力服务的场景。
三星将在位于韩国平泽市的工厂量产LPDDR5、GDDR6和DDR5 DRAM芯片。
-
三星电子
+关注
关注
34文章
15890浏览量
182501 -
内存芯片
+关注
关注
0文章
127浏览量
22588 -
LPDDR
+关注
关注
0文章
45浏览量
6641
发布评论请先 登录
美光科技出货全球首款基于1γ制程节点的LPDDR5X内存 突破性封装技术
三星在4nm逻辑芯片上实现40%以上的测试良率
LPDDR5X:面向高性能与能效的增强型移动内存
LPDDR5X速率刷新记录,LPDDR5-Ultra-Pro DRAM来了
三星推出抗量子芯片 正在准备发货
三星Galaxy S25系列搭载美光LPDDR5X内存和UFS 4.0
三星电机推出全球首款超小型高容量MLCC
三星电子1c nm内存开发良率里程碑推迟
三星LPDDR5X荣获CES 2025创新奖
季丰电子开发出LPDDR5的SER测试方案并在中子辐射下完成SER实验

评论