这款 25 位 1:1 或 14 位 1:2 可配置寄存器缓冲器设计用于 1.7V 至 1.9V VCC操作。在 1:1 引脚配置中,每个 DIMM 只需要一个器件即可驱动 9 个 SDRAM 负载。在 1:2 引脚配置中,每个 DIMM 需要两个器件来驱动 18 个 SDRAM 负载。
除LVCMOS复位(RESET)和LVCMOS控制(Cn)输入外,所有输入均为SSTL_18。所有输出均为边沿控制电路,针对未端接的DIMM负载进行了优化,并符合SSTL_18规格。
*附件:sn74sstu32864.pdf
SN74SSTU32864采用差分时钟(CLK和CLK)工作。数据在 CLK 走高和 CLK 走低的交叉点处记录。
C0输入控制1:2引脚排列的引脚配置,从寄存器A配置(低电平时)到寄存器B配置(高电平时)。C1输入控制引脚配置,从25位1:1(低电平时)到14位1:2(高电平时)。正常运行期间不应切换 C0 和 C1。它们应硬连线到有效的低电平或高电平,以将寄存器配置为所需模式。在 25 位 1:1 引脚配置中,A6、D6 和 H6 端子被驱动为低电平,不应使用。
该器件支持低功耗待机作。当RESET为低电平时,差分输入接收器被禁用,未驱动(浮动)数据、时钟和基准电压(V 裁判 ) 输入。此外,当RESET为低电平时,所有寄存器都复位,所有输出都强制为低电平。LVCMOS RESET和Cn输入必须始终保持在有效的逻辑高电平或低电平。
两个V裁判引脚(A3 和 T3)在内部连接在一起大约 150 个。但是,只需连接两个 V 中的一个裁判引脚连接到外部V裁判电源。未使用的 V裁判引脚应以 V 结尾裁判耦合电容器。
该器件还通过监控系统芯片选择(DCS 和 CSR)输入来支持低功耗有源作,并将在 DCS 和 CSR 输入都为高电平时控制 Qn 输出的状态变化。如果 DCS 或 CSR 输入为低电平,则 Qn 输出正常工作。RESET输入优先于DCS和CSR控制,并强制输出为低电平。如果不需要DCS控制功能,则可以将CSR输入硬接线到地,在这种情况下,DCS的建立时间要求与其他D数据输入相同。
为确保在提供稳定时钟之前从寄存器获得定义的输出,RESET在上电期间必须保持低电平状态。
特性
- 德州仪器 (TI) Widebus+ ? 系列成员
- 引脚排列优化了 DDR-II DIMM PCB 布局
- 可配置为 25 位 1:1 或 14 位 1:2 寄存器缓冲器
- 芯片选择输入可控制数据输出的状态变化,并最大限度地降低系统功耗
- 输出边沿控制电路可最大限度地降低未端接线路中的开关噪声
- 支持SSTL_18数据输入
- 差分时钟(CLK和CLK)输入
- 支持控制和RESET输入上的LVCMOS开关电平
- RESET输入禁用差分输入接收器,复位所有寄存器,并强制所有输出为低电平
- 闩锁性能超过 100 mA,符合 JESD 78,II 类标准
- ESD 保护超过 JESD 22
- 5000V 人体模型 (A114-A)
- 200V 机器型号 (A115-A)
- 1000V 充电设备型号 (C101)
参数
?1. 产品概述?
SN74SSTU32864是德州仪器(TI)Widebus+系列成员,专为DDR-II DIMM PCB布局优化设计的25位可配置寄存器缓冲器,支持SSTL_18输入/输出。关键特性包括:
- ?配置模式?:可设置为25位1:1或14位1:2寄存器缓冲器,通过控制引脚(C0、C1)选择。
- ?低功耗设计?:芯片选择输入(DCS/CSR)可禁用数据输出切换以降低系统功耗,RESET引脚可强制所有输出低电平并禁用差分接收器。
- ?抗噪设计?:输出边缘控制电路减少未端接线路的开关噪声。
?2. 电气特性?
- ?工作电压?:1.7V至1.9V VCC,参考电压(VREF)为0.9V。
- ?输入/输出标准?:数据输入为SSTL_18(除LVCMOS控制的RESET和Cn引脚),输出满足SSTL_18规范。
- ?ESD保护?:符合JESD 22标准(人体模型5000V,机器模型200V,充电设备模型1000V)。
?3. 功能配置?
- ?引脚分配?:提供三种终端分配模式(1:1寄存器、1:2寄存器A/B),具体由C0和C1控制。
- ?控制逻辑?:
- RESET低电平时禁用差分接收器并复位寄存器。
- DCS和CSR同时高电平时冻结输出状态。
?4. 时序与性能?
- ?时钟频率?:最高500MHz,差分时钟(CLK/CLK)触发数据锁存。
- ?传播延迟?:典型值1.4ns(VCC=1.8V±0.1V)。
- ?输出压摆率?:1.9V/ns至4.9V/ns(上升/下降沿)。
?5. 封装与订购信息?
- ?封装类型?:LFBGA-GKE(96引脚),尺寸13.6mm×13.4mm。
- ?订购型号?:SN74SSTU32864GKER(0°C至70°C工作温度)。
?6. 应用场景?
适用于需驱动多SDRAM负载的DDR-II内存模块设计,单设备可驱动9个负载(1:1模式),双设备驱动18个负载(1:2模式)。
?7. 注意事项?
- C0/C1需硬接线至固定电平,正常运行时不可切换。
- 未使用的VREF引脚需接耦合电容。
- 上电时需保持RESET低电平以确保输出定义明确。
-
SDRAM
+关注
关注
7文章
444浏览量
56686 -
寄存器
+关注
关注
31文章
5469浏览量
126287 -
缓冲器
+关注
关注
6文章
2110浏览量
47718 -
控制电路
+关注
关注
83文章
1739浏览量
137636 -
引脚
+关注
关注
16文章
1908浏览量
53821
发布评论请先 登录
带输出寄存器的汽车类8位移位寄存器SN74LV8T594-Q1数据表

具有三态输出寄存器的汽车类 8位移位寄存器SN74AHC165-Q1数据表

74SSTUB32868A 28位至56位寄存器缓冲器数据表

74SSTUB32868 28位至56位寄存器缓冲器数据表

SN74SSTV16859具有SSTL 2输入和输出的13位至26位寄存器缓冲器数据表

SN74SSTVF16859具有SSTL 2输入和输出的13位至26位寄存器缓冲器数据表

Texas Instruments SN74AHC594/SN74AHC594-Q1 8位移位寄存器数据手册
Texas Instruments SN74AHCT594/SN74AHCT594-Q1 8位移位寄存器数据手册

SN74LV594A:2-5.5V带输出寄存器的8位移位寄存器技术解析

评论