全面升级！度亘推出793nm高功率光纤耦合模块系列——基于高功率高亮度芯片助力2μm激光器泵浦技术升级！-电子发烧友网

在工业制造与生物医疗领域持续发展的当下，2μm光纤激光器凭借其独特性能，成为工业非金属加工、微创医疗等场景的关键技术支撑。度亘聚焦行业需求，依托强大的新品及封装平台，推出793nm高功率光纤耦合模块系列，以度亘高功率半导体激光芯片为核心，为2μm激光器泵浦技术发展注入新动能，助力高功率2μm掺铥光纤激光器产品升级换代。度亘核芯此次推出的高功率793nm 泵浦模块具有高可靠性、高稳定性、高性价比等优势，可拓宽2μm光纤激光器应用场景，更有助于推动相关产业技术升级。

技术难点

直面行业痛点

以技术创新破局

在2μm激光产品应用不断拓展的情况下，793nm 泵浦模块发展发展长期受困于“功率低、成本高、可靠性弱”三大核心痛点，成为产业升级的“拦路虎”，表现在以下几个方面：

功率天花板难突破：

受量子阱材料增益低、载流子泄露严重等限制，传统芯片单管输出功率被限制在10W；若要实现模块300W及以上功率输出，至少需38颗 10W 芯片，等同976nm波段光纤耦合模块1000W功率输出，进一步提升模块功率难度加大、可靠性低。

系统成本居高不下：

低功率芯片倒逼串联数量的增加，直接导致光学元件数量增加、封装工时延长，良品率的下降，制造成本高。

?	可靠性危机凸显：高功率793nm 芯片的光子能量（≈1.57 eV）已接近GaAs表面氧化激活能，导致腔面光化学降解速率加快，COMD（腔面灾变损伤）阈值大幅降低，影响产品长期可靠性。

开发成果

自主研发15W芯片

定义产品核心竞争力

针对行业痛点与市场需求，度亘核芯成功研发并量产15W高功率芯片，并推出系列光纤耦合模块，从功率、效率、可靠性等维度实现突破：

高功率、高效率，突破性能上限：

在芯片外延技术方面，度亘通过优化量子阱生长条件，有效降低外延缺陷密度，量子阱增益显著提升；同时调整外延结构，提高载流子限制能力，实现芯片阈值电流密度降低与斜率效率提升，在15A电流下输出光功率15W，满足高功率应用需求。

高可靠性保障：

在器件结构和工艺方面，通过优化表面金属工艺及腔面镀膜材料，成功解决了793nm光子能量高带来的腔面光化学降解速率加快的问题，COMD阈值显著提高，激光器芯片实现高可靠性工作，在25℃、CW 15W的使用条件下，寿命保证20000H，QCW 18A 10％占空比超调使用寿命保证100000H。