Texas Instruments TMUX734xF 8:1和双通道4:1多路复用器是现代互补金属氧化物半导体 (CMOS) 模拟多路复用器，采用8:1（单端）和4:1（差分）配置。TMUX734xF在双电源（±5V至 ±22V）、单电源（8V至44V）或非对称电源（例如VDD=12V，VSS= –5V）供电时均能正常运行。该器件在通电和断电情况下均提供过压保护，非常适合用于无法精确控制电源时序的应用。

数据手册：

*附件：MUX734xF-EP数据表.pdf

*附件：TMUX734xF数据表.pdf

在通电和断电条件下，该器件可阻断最高达+60V和-60V的接地故障电压。没有电源时，无论开关输入条件和逻辑控制状态如何，开关通道均保持关断状态。

TMUX7348F和TMUX7349F器件具有低电容、低电荷注入和集成式故障保护功能，因此可用于注重高性能和高稳健性的前端数据采集应用。该器件采用标准薄型小外形尺寸封装和较小的WQFN封装（非常适用于PCB空间受限的应用）。

TMUX734xF-EP器件采用金键合线，工作温度范围为-55至+105°C，采用锡铅引线涂层。

特性

• 集成故障保护：
  • 过压保护（源极到电源或源极到漏极）：±85V
  • ±60V过压保护
  • ±60V断电保护
  • 可调过压触发阈值
    • VFP ：3V至VDD 、VFN 0V至VSS
  • 中断标志，指示整体和特定故障通道信息
  • 无故障通道在低泄漏电流下继续运行
  • 在过压条件下，输出被钳位到故障电源
• 宽电源电压范围：
  • ±5V至±22V双电源
  • 8V至44V单电源
• 器件构造可实现闩锁效应抑制
• 支持1.8V逻辑电平
• 失效防护逻辑：高达44V（与电源无关）
• 先断后合开关
• 行业标准TSSOP和较小型WQFN封装

功能框图

德州仪器TMUX734xF系列模拟多路复用器技术解析

一、产品概述

德州仪器(TI)的TMUX734xF系列是具备±60V故障保护的CMOS模拟多路复用器，包含TMUX7348F（8:1单端）和TMUX7349F（双4:1差分）两种配置。该系列器件采用2022年3月发布、2023年7月修订的设计方案（SCDS400B），具有可调故障阈值、抗闩锁特性及1.8V逻辑兼容性。

二、核心特性

1. 宽电压工作范围

• ?双电源模式?：±5V至±22V
• ?单电源模式?：8V至44V
• ?非对称电源支持?（如VDD=12V，VSS=-5V）

2. 集成故障保护机制

• ?过压保护?：源极对电源或漏极±85V
• ?断电保护?：±60V耐受能力
• ?可调触发阈值?：
  • VFP：3V至VDD
  • VFN：0V至VSS
• ?故障标志输出?：提供全局(FF)和通道特定(SF)故障指示

3. 先进工艺特性

• 通过器件结构实现的抗闩锁特性
• 1.8V逻辑兼容，支持最高44V的故障安全逻辑
• 先断后通(break-before-make)切换机制

三、关键参数指标

1. 电气特性

• ? 导通电阻(RON) ?：
  • ±15V供电时：180Ω(典型值)至390Ω(最大值)
  • 平坦度(RFLAT)：±15V时仅1.5Ω变化
• ?漏电流?：
  • 关断状态：±1nA(25℃)
  • 过压状态下：±110μA(±60V输入时)

2. 时序特性

• ?切换时间?：165ns(EN使能)
• ?故障响应时间?：300ns(典型值)
• ?故障恢复时间?：1.4μs(典型值)

3. 封装选项

• ?TSSOP-20?(PW)：6.5×6.4mm
• ?WQFN-20?(RTJ)：4×4mm（适合空间受限设计）

四、典型应用场景

1. ?工业自动化?
   • PLC模拟输入模块
   • 伺服驱动控制
   • 工厂自动化控制系统
2. ?测试测量设备?
   • 半导体测试机
   • 电池测试系统
   • 数据采集(DAQ)设备
3. ?汽车电子?
   • 车载传感器接口
   • 电池管理系统

五、保护功能详解

1. 过压保护机制

当源极电压超过VFP+0.7V或低于VFN-0.7V时：

• 受影响通道自动断开（呈现高阻态）
• 若该通道被选中，漏极被40kΩ电阻拉至相应故障电源
• FF标志置低，SF标志通过A0-A2编码指示具体故障通道

2. 断电保护特性

• 供电完全断开时，所有通道保持高阻态
• 支持±60V输入保护，不受电源时序影响
• 防止通过ESD二极管反向供电

3. ESD防护

• 所有引脚支持±3.5kV HBM模型
• 采用SOI工艺实现抗闩锁结构

六、设计考量

1. 电源设计建议

• 推荐使用TPS65219配套PMIC
• 每个电源引脚配置0.1-10μF去耦电容
• VDD必须先于VFP上电，VSS先于VFN上电

2. PCB布局要点

• 敏感模拟走线与数字走线垂直交叉
• 热焊盘必须连接到GND或VSS
• 信号路径尽量缩短

3. TVS选型指南

• 击穿电压需满足：
  • 大于系统最大工作电压
  • 小于器件绝对最大额定值
• 推荐结合低值限流电阻使用

七、性能曲线分析

1. 导通电阻特性

• 在±10V信号范围内保持<2%的变化
• 单电源12V时，RON典型值250Ω

2. 频响特性

• -3dB带宽：150MHz(TMUX7348F)
• 关断隔离度：-82dB@1MHz

3. 失真特性

• THD+N：0.0014%(20Hz-20kHz, ±15V供电)

八、选型对比