AI加持，2025存储全面爆发

2025年8月27日，由elexcon2025深圳国际电子展、电子发烧友网联合主办的“存储技术论坛”在深圳会展中心成功举办。来自江波龙、驰拓科技、东芯半导体、顺络电子、康盈半导体、电子发烧友网的演讲嘉宾们就各类存储芯片以及相关被动器件在端侧AI应用的机遇和挑战进行了精彩分享。

江波龙王作鹏：自在存储，驾控随芯

在存储技术论坛上，深圳市江波龙电子股份有限公司汽车市场总监王作鹏带来了《自在存储，驾控随芯》的主题分享。王作鹏表示江波龙表示目前正向着UFS、LPDDR存储方向迈进，产品上做到差异化。当前在车用存储上江波龙已经实现大部分覆盖，并通过了AEC-Q100认证，市场增长超过100%，采用的主机厂超过20家，Tier1超过50家。

图：江波龙汽车市场总监王作鹏

在主控上，江波龙拥有综合、专业的主控人才，同时核心IP都采用自主设计研发，包括嵌入式存储、移动存储等都采用自研主控。并且江波龙还拥有20年的固件积累，超过5000项eMMC&UFS 白/黑盒测试用例。

在车规级LPDDR4x上，江波龙要做到全链路可靠，拥有业界领先的车规级晶圆颗粒验证技术；自研高精度宽温ATE测试技术保障测试精度和覆盖率；自有芯片老化筛选方案，进一步保障产品可靠性；自研技术赋能，具备可靠性和FA分析能力。并通过PTM模式来为客户提供创新服务，成为车规存储优选品牌。


驰拓科技杨晓蕾：新型非易失存储技术-MRAM技术

论坛上，浙江驰拓科技有限公司技术研发部副总监杨晓蕾带来了《新型非易失存储技术-MRAM技术》的主题分享。杨晓蕾表示MRAM是一种基于磁阻效应实现数据存储的非易失性存储技术，兼具高速、非易失、高耐用性等优势，因此MRAM也被称为“后摩尔时代”最具潜力的新型存储技术。

图：驰拓科技研发部副总监杨晓蕾

目前MRAM的应用已经从传统逐步拓展，可以应用在快速写入时间、低功耗可穿戴、断电数据不丢失、存算一体架构等领域。其存储阵列良率水平达到了95%，亚ppm级失效率表明通过部署常规的外围电路，驰拓科技工艺平台即可支撑高良率的高可靠MRAM芯片规模制造。

目前，Avalanche、EVERSPIN、驰拓三家在MRAM可靠性上已经做到全球领先。当前驰拓已从跟随者跨入并跑者，并且MRAM的抗磁能力优秀，驰拓还推出了抗磁封装技术，让MRAM抗磁能力进一步提升。驰拓正在联合业界IP合作伙伴、MCU/SoC合作伙伴共同搭载eMRAM生态合作链实现MCU/SoC内部存储子系统全新解决方案。

顺络电子：存储设备供电用被动器件分析

本次大会，顺络电子区域FAE经理Edward Li带来了主题为“存储设备供电用被动器件分析”的分享。

图：顺络电子区域FAE经理Edward Li

在近年火热的数据中心和AI计算领域，顺络可以在关键的AC/DC电源、DC/DC等方面提供各类电感、电容产品，面向DDR5等高速存储应用，还可以提供高端钽电容、模压功率电感等产品。

在DDR5领域，顺络推出了PMIC5000系列的功率电感解决方案，根据实测数据，顺络电感在内存条厂商中的测试，在SWA/SWB /SWC 通道上均满足JEDCE标准，

目前顺络在钽电容方面主要有TP（聚合物钽电容）和TM（二氧化锰钽电容）两大系列。顺络推出了创新的设计和封装，将钽电容的发展提升到了一个全新的水平。包括采用无引线框的设计将体积利用率提高25%以上，以及采用底面电极设计和IC封装技术避免了传统钽电容的引线框在弯曲过程中的破裂。

采用新的结构设计后，钽电容体积利用率提升25%，新结构产品更易实现小型化、薄型化。以25V33μF为例，传统结构尺寸为7.3*4.3*3.1*，而顺络的新结构钽电容设计可以做到3.5*2.8*2.0的尺寸。

同时，得益于新结构，在同等大小空间内，新结构的钽电容产品装粉量更高，因此，产品可以实现高压大容值。在漏电流方面，新结构的钽电容采用整板压合的方式塑封，不存在流道压力仅为传统注射式的1/3，极大减少了对膜层的破坏，避免了漏电流的劣化。


康盈半导体：KOWIN存储点亮AI眼镜的视界新章

康盈半导体副总经理齐开泰在本次大会上带来主题为“KOWIN存储点亮AI眼镜的视界新章”的分享。

图：康盈半导体副总经理齐开泰

智能眼镜从2010年的初代产品发展至当前AR与VR结合的高级形态，行业关注度持续提升，尽管市场增长缓慢，但技术进步推动了更多功能的实现。其中，存储芯片在AI眼镜等产品的发展中，也遇到了新的挑战，如需要降低功耗、提高数据完整性和环境适应性。

康盈为AI眼镜提供了整套存储解决方案，具有小体积、低功耗、高性能的特性。采用高性能闪存，保障系统操作的流畅性、稳定性，同时兼容高通、联发科、展锐、瑞芯微等主流SoC平台。同时，产品通过了严苛的测试条件，长时间的老化测试，可以为客户提供专业的产品和服务支持。
比如eMMC产品上，康盈推出了超小尺寸设计的产品，封装尺寸最低可以到7.2mm×7.2mm×0.8mm，容量支持32GB/64GB/128GB。对比上一代Small PKG，体积更小，容量更大。

另外，康盈还推出了ePOP封装的新一代LPDDR4X产品，具备32GB+16Gb/32Gb，64GB+16Gb/32Gb多种规格，封装尺寸也相比上一代更小，只有8mm×9.5mm×0.75mm，读写速度最高可至300/200 MB/s。


东芯半导体：以存储为基石，协同创新

东芯半导体股份有限公司副总经理陈磊发表了题为《创新协同，共谋存储生态繁荣发展》的精彩演讲。

作为Fabless芯片企业，东芯半导体拥有独立自主的知识产权，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研发、设计和销售，是目前国内少数可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司。

图：东芯半导体股份有限公司副总经理陈磊

东芯半导体针对物联网、智能硬件应用、汽车电子、医疗健康等新兴领域形成多元化市场布局，整合各方资源，优化整体制造环境，形成良好的处理闭环，推动产品不断精益求精。

聚焦利基型存储，构建了六大产品结构。包括，SPI NAND Flash，可提供单颗粒芯片设计的串行通信方案，在同一颗粒上集成了存储阵列和控制器，具有高传输速度高可靠性的特点。

PPI NAND Flash，支持工业+级别105℃，具有高可靠性。SPI NOR Flash聚焦于大容量低功耗，支持Single/Dual/Quad SPl和QPI四种指令模式DTR传输模式。

DDR3(L)/DDR4支持低电压1.5V/1.35V，高传输速率800MHz/933MHz/1066MHz。LPDDR1/2/4X产品，其中LPDDR1核心电压与IO电压均低至1.8V，LPDDR2的VDDCANVDDQ更低至1.2V，LPDDR4X的VDDQ更低至0.6V。

MCP产品的Flash 和DDR均为低电压设计，核心电压1.8V将其合二为一封装，高效集成电路、提高稳定性。

在汽车领域，东芯半导体SLC NAND Flash、NOR Flash 以及MCP 等产品陆续有更多料号通过AEC-Q100 的验证，将适用于要求更为严苛的车规级应用环境。公司积极进行车规客户的导入和验证，完成国内多家整车厂的白名单导入，多家境内外一级汽车供应商（Tier1）的供应商资质导入，并已向包括境外知名的一级汽车供应商（Tier1）等进行车规产品的销售。

近年来，东芯半导体的中小容量存储产品设计针对客户需求更多地可提供定制开发服务，从设计到产业化的一站式解决方案。

同时，积极拓展境内外双代工模式，坚持“双轨并行”的发展策略，打造了具有“本土深度、全球广度”的供应链体系。以存储为核心，向“存、算、联”一体化领域进行技术探索，拓展行业应用领域，优化业务布局。

电子发烧友网：端侧AI令存储百放齐放

电子发烧友网主编黄晶晶在演讲中表示，英伟达GPU用于AI训练带动高带宽存储HBM技术和产品快速迭代，国际三大厂商由此受益，而端侧AI芯片真正为存储产业打开突破性成长空间。端侧AI芯片走向CPU+GPU+NPU多核架构，以及新型计算架构加持，存储产品一方面是规格加速升级，另一方面新型存储不断涌现。

图：电子发烧友网主编黄晶晶

2025年DDR5在服务器和PC端的渗透率均超过50%，同时DDR6进入平台验证，预计2027年商用。CAMM2标准正逐渐成为DDR6时代的重要接口方案。LPDDR6标准发布，三星下半年量产下一代LPDDR6内存，并计划向高通等科技巨头供货。

不少AI推理芯片、存算一体芯片将SRAM替代DRAM，从而获得更快的访问速度、更低的刷新延迟等。

PCIe Gen6标准的企业级和消费级SSD主控芯片已经亮相，商用还需三到五年时间。UFS4.0/4.1之后UFS5.0将持续迭代。

AI技术的快速落地为NOR Flash、SLCNAND Flash等存储芯片带来全新的市场机遇。NOR Flash在28nm及以下先进逻辑工艺节点无法实现的问题，业界提供MRAM接棒或新的NOR Flash技术架构等方案。

新型存储技术快速发展，例如相变存储器（PCM）、阻变存储器（RRAM）、磁变存储器（MRAM）、铁电存储器（FRAM/Feram）等。此外，高带宽闪存（HBF）、CUBE、存算一体等为AI推理提供新的性价比体验。

展望未来，新型存储层出不穷，为端侧AI提供更多解决方案，新兴应用加入AI元素，刺激存储需求增长。