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德州仪器TCAL6408 I2C总线/SMBus IO扩展器技术解析

科技观察员 ? 2025-08-29 09:54 ? 次阅读
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Texas Instruments TCAL6408 I^2^C总线/SMBus I/O扩展器可为两线双向I^2^C总线(或SMBus)协议提供通用并行输入/输出(I/O)扩展。该器件的工作电源电压范围为1.08V至3.6V(在I^2^C总线侧,为V CCI ;在P端口侧,为V CCP )。

数据手册:*附件:Texas Instruments TCAL6408 I2C总线SMBus IO扩展器数据手册.pdf

该器件支持100kHz(标准模式)、400kHz(快速模式)和1MHz(快速+模式)的I^2^C时钟频率。当开关、传感器、按钮、LED、风扇等设备需要额外使用I/O时,I/O扩展器(例如TCAL6408)可提供简单解决方案。

Texas Instruments TCAL6408具有敏捷I/O端口,还包括旨在提高I/O在速度、功耗和EMI方面性能的额外性能。这些其他特性包括可编程输出驱动强度、上拉/下拉电阻、可闭锁输入、可屏蔽中断、中断状态寄存器以及可编程开漏或推挽输出。

特性

  • 工作电源电压范围:1.08 V至3.6 V
  • 支持1.2V、1.8V、2.5V和3.3V I^2^C总线与P端口之间进行双向电压电平转换和GPIO扩展
  • 1.8V时具有1?A(典型值)的低待机电流消耗
  • 1MHz快速+模式I^2^C总线
  • 硬件地址引脚,允许在同一I^2^C/SMBus总线上支持两个器件
  • 低电平有效复位输入 (RESET)
  • 低电平有效的开漏中断输出 (INT)
  • 输入或输出配置寄存器
  • 极性反转寄存器
  • 可配置I/O驱动强度寄存器
  • 上拉和下拉电阻器配置寄存器
  • 内部上电复位
  • SCL/SDA输入端静噪滤波
  • 锁存输出带大电流驱动最大能力,用以直接驱动LED
  • 闭锁性能超过100mA,符合JESD 78 II类标准
  • 静电放电保护超出JESD 22标准
    • 4000V人体模型 (A114-A)
    • 1000V充电器件模型 (C101)

简化版原理图

1.png

德州仪器TCAL6408 I2C总线/SMBus IO扩展器技术解析

一、产品概述与核心特性

TCAL6408是德州仪器(TI)推出的一款8位双向电压转换I2C总线/SMBus IO扩展器,具有中断输出、复位和灵活IO配置寄存器功能。该器件具有以下显著特性:

  • ?宽电压工作范围?:支持1.08V至3.6V工作电压,可实现1.2V、1.8V、2.5V和3.3V I2C总线与P端口间的双向电压电平转换
  • ?超低功耗?:1.8V时典型待机电流仅1μA
  • ?高速接口?:支持1MHz快速模式Plus I2C总线
  • ?灵活配置?:硬件地址引脚允许同一I2C总线上连接两个器件
  • ?增强型IO功能?:可配置输出驱动强度、可编程上拉/下拉电阻、锁存输入、可屏蔽中断等
  • ?强大保护功能?:ESD保护超过JESD 22标准(4000V HBM/1000V CDM)

二、关键电气参数

2.1 电源规格

  • ?工作电压范围?:VCCI(总线侧)和VCCP(P端口侧)均为1.08V至3.6V
  • ?静态电流?:
    • 快速模式(400kHz)下7μA(典型值)
    • 待机模式下1.5μA(典型值)
  • ?POR阈值?:上升沿0.85V(典型值),下降沿0.75V(典型值)

2.2 驱动能力

  • ?输出高电平?:VOH = VCCP-33mV @100mA
  • ?输出低电平?:VOL = 33mV @100mA
  • ?可调驱动强度?:四档可编程(25%/50%/75%/100%)

2.3 时序特性

  • ?I2C总线时序?:
    • 标准模式:100kHz
    • 快速模式:400kHz
    • 快速模式Plus:1MHz
  • ?中断响应时间?:典型值1μs

三、功能模块详解

3.1 电压转换机制

TCAL6408支持I2C总线侧(VCCI)与P端口侧(VCCP)之间的双向电压转换,典型电压组合包括但不限于:

  • 1.2V ? 1.8V/2.5V/3.3V
  • 1.8V ? 2.5V/3.3V
  • 2.5V ? 3.3V

3.2 增强型IO功能

  • ?可编程驱动强度?:通过CC-XX寄存器位控制,每IO可独立配置四档驱动电流
  • ?上拉/下拉电阻?:100kΩ可编程电阻,可通过寄存器独立启用/禁用
  • ?输入锁存?:锁存输入状态变化,防止短脉冲丢失
  • ?中断管理?:可屏蔽中断、中断状态寄存器

3.3 保护机制

  • ?ESD保护?:4000V人体模型(HBM),1000V充电器件模型(CDM)
  • ?热特性?:结温范围-40°C至+125°C
  • ?输出保护?:禁止IO引脚直接接地(建议串联>10kΩ电阻)

四、典型应用设计

4.1 硬件设计要点

  1. ?上拉电阻计算?:
    • 最小值:Rp_min = (VCCI - VOL_max)/IOL
    • 最大值:Rp_max = tr/(0.8473×Cb)
  2. ?LED驱动设计?:
    • 建议并联高阻值电阻(如100kΩ)或使用VCCP < LED供电电压至少VT
  3. ?布局建议?:
    • 旁路电容尽量靠近器件
    • 信号线避免直角走线
    • 四层板优先,专用电源和地层

4.2 寄存器配置流程

  1. ?初始化序列?:
    • 配置输出驱动强度(寄存器40h/41h)
    • 设置上拉/下拉(寄存器43h/44h)
    • 配置IO方向(寄存器03h)
  2. ?中断配置?:
    • 启用输入锁存(寄存器42h)
    • 设置中断掩码(寄存器45h)
    • 读取中断状态(寄存器46h)
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