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LM5149 80V同步降压DC/DC控制器技术解析

科技观察员 ? 2025-08-27 14:55 ? 次阅读
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Texas Instruments LM5149/LM5149-Q1同步降压直流/直流控制器是一款80V、超低IQ同步降压直流/直流控制器,用于大电流、单输出应用。该控制器采用峰值电流模式控制架构,具有简单环路补偿、快速瞬态响应、出色的负载和线路调节能力。LM5149/LM5149-Q1可设置为双相模式,为大电流应用提供精确的电流共享。该器件可在低至3.5V VIN下工作,并可根据需要以接近100%的占空比工作。

数据手册:

*附件:LM5149数据手册.pdf

*附件:LM5149-Q1数据手册.pdf

LM5149/LM5149-Q1具有两个独特的EMI抑制特性:有源EMI滤波器和双随机扩频 (DRSS)。有源EMI滤波器可检测直流输入总线上的任何噪声或纹波电压,并注入异相消除信号以降低干扰。DRSS将低频三角和高频随机调制结合,可降低较低频段和较高频段的EMI干扰。这种混合技术与行业标准EMC测试中规定的多分辨率带宽 (RBW) 设置一致。

LM5149/LM5149-Q1的其他特性包括150°C最大工作结温、可在轻负载条件下降低电流消耗的用户可选二极管仿真功能、用于故障报告和输出监控的开漏电源良好标志。它还包括精密使能输入、单调启动至预偏置负载、集成VCC偏置电源稳压器和自举二极管、内部3ms软启动时间以及带自动恢复功能的热关断保护。

Texas Instruments LM5149/LM5149-Q1控制器采用3.5mm × 5.5mm散热增强型24引脚VQFN封装,带可湿性侧翼引脚,便于制造过程中的光学检测。LM5149-Q1器件符合汽车应用类AEC-Q100标准。

特性

  • 支持功能安全
    • 来辅助功能安全系统设计的文档
  • 两个集成EMI抑制机制
    • 有源EMI滤波器,用于在较低频率下提高EMI性能
    • 可选双随机扩频 (DRSS),可提高低频段和高频段的EMI性能
    • EMI平均降低25dB?V
    • 将外部差分模式输入滤波器尺寸减小50%,降低系统成本
  • 开关频率范围:100kHz至2.2MHz
    • 同步输入和同步输出能力
  • 多功能同步降压直流/直流控制器
    • 宽输入电压范围:3.5V至80V
    • 1%精度、3.3V、5V、12V固定输出,或0.8V至55V可调输出
    • 最高结温:150°C
    • 关断电流:2.3?A
    • 空载睡眠电流:9.5?A
    • 最多可堆叠两个相位
  • 固有保护特性可实现稳健设计
    • 内部断续模式过流保护
    • ENABLE和PGOOD功能
    • V CC 、VDDA和栅极驱动UVLO保护
    • 带迟滞的热关断保护

典型应用示意图

1.png

LM5149 80V同步降压DC/DC控制器技术解析

一、核心特性与创新设计

LM5149是德州仪器(TI)推出的高性能同步降压控制器,具有以下突出特性:

?关键参数特性?:

  • ?超宽输入电压范围?:3.5V至80V工作范围
  • ?多档固定/可调输出?:
    • 固定3.3V/5V/12V输出
    • 可调0.8V至55V输出
  • ?双EMI抑制技术?:
    • 主动EMI滤波器(AEF) - 平均降低25dB?V噪声
    • 双随机扩频(DRSS) - 支持CISPR 32 Class B标准
  • ?超高能效?:
    • 关断电流仅2.3?A
    • 空载睡眠电流9.5?A
  • ?高频工作?:支持100kHz至2.2MHz开关频率

?创新架构亮点?:

  1. ?峰值电流模式控制?:
    • 内置斜率补偿
    • 支持高达99%占空比
    • 快速瞬态响应
  2. ?电源管理架构?:
    • VCC偏置稳压器(4.7-5.3V输出)
    • 支持外部VCCX偏置输入(4.3V阈值)
    • 实现低输入电压工作(LILO模式)
  3. ?集成保护功能?:
    • 打嗝模式过流保护
    • 热关断(175°C触发)
    • 输入/输出欠压锁定

二、EMI抑制技术

1. 主动EMI滤波器设计

?推荐参数?:

  • CSEN=0.1μF
  • CINJ=0.47μF
  • RAEFC=1kΩ(低频)/200Ω(高频)
  • CAEFC=1nF(低频)/5nF(高频)

?布局要点?:

  • SEN/INJ走差分对
  • 补偿网络靠近VIN端子
  • REFAGND单独走线至输入连接器

2. 双随机扩频配置

通过CNFG引脚电阻选择:

  • 41.2kΩ:单相+DRSS
  • 71.5kΩ:双相+DRSS

三、热设计与PCB布局

1. 热特性参数

  • 结到环境热阻:37.3°C/W
  • 结到PCB热阻:15.5°C/W
  • 推荐铜面积≥275mm?

2. 关键布局规则

  1. ?功率回路最小化?:
  2. ?栅极驱动优化?:
    • HO/SW走差分对
    • 栅极电阻≤10Ω
  3. ?敏感信号隔离?:
    • FB/ISNS+远离开关节点
    • 采用星型接地

四、应用场景推荐

  1. ?工业自动化?:
  2. ?汽车电子?:
  3. ?通信设备?:
    • 基站射频单元
    • 光模块电源
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