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IGBT 封装底部与散热器贴合面平整度差与 IGBT 的短路失效机理相关性

jf_46440026 ? 来源:jf_46440026 ? 作者:jf_46440026 ? 2025-08-26 11:14 ? 次阅读
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IGBT(绝缘栅双极型晶体管)作为电力电子系统中的关键器件,其可靠性至关重要。IGBT 在工作时会产生大量热量,需通过散热器有效散热,以维持正常工作温度。而 IGBT 封装底部与散热器贴合面的平整度,对散热效果有显著影响,进而可能关联到 IGBT 的短路失效机理。

IGBT 工作时,电流通过芯片产生焦耳热,若热量不能及时散发,将导致芯片温度升高。良好的散热可使 IGBT 保持在适宜工作温度,确保性能稳定。IGBT 封装底部与散热器贴合面平整度差时,二者间会形成空气间隙。空气的热导率远低于金属材料,这些间隙如同热阻,阻碍热量从 IGBT 传递到散热器,致使 IGBT 局部温度过高。

当 IGBT 因贴合面平整度差出现局部过热,可能引发一系列问题,与短路失效机理紧密相关。一方面,过高温度会使 IGBT 内部材料特性发生变化,如半导体材料的载流子迁移率改变,导致芯片内部电流分布不均。在极端情况下,可能出现局部电流密度过大,引发热斑效应。热斑处温度持续升高,进一步损坏芯片内部结构,增加短路风险。

另一方面,温度升高还会影响 IGBT 的电气参数。例如,高温可能使 IGBT 的阈值电压降低,导致其更容易导通。当温度超过一定阈值,IGBT 内部的寄生晶闸管可能被触发,产生擎住效应。一旦发生擎住,IGBT 将失去栅极控制能力,集电极与发射极间电流急剧增大,最终引发短路失效。

此外,在 IGBT 短路故障发生时,本身会产生极大的瞬态电流,导致器件温度迅速上升。若此时 IGBT 封装底部与散热器贴合面平整度差,散热受阻,芯片温度将更快攀升。过高的温度会加速芯片内部的物理和化学变化,如金属互连层的熔断、介质层的击穿等,进一步恶化短路情况,使 IGBT 更快失效。

激光频率梳3D光学轮廓测量系统简介:

20世纪80年代,飞秒锁模激光器取得重要进展。2000年左右,美国J.Hall教授团队凭借自参考f-2f技术,成功实现载波包络相位稳定的钛宝石锁模激光器,标志着飞秒光学频率梳正式诞生。2005年,Theodor.W.H?nsch(德国马克斯普朗克量子光学研究所)与John.L.Hall(美国国家标准和技术研究所)因在该领域的卓越贡献,共同荣获诺贝尔物理学奖。?

系统基于激光频率梳原理,采用500kHz高频激光脉冲飞行测距技术,打破传统光学遮挡限制,专为深孔、凹槽等复杂大型结构件测量而生。在1m超长工作距离下,仍能保持微米级精度,革新自动化检测技术。?

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核心技术优势?

①同轴落射测距:独特扫描方式攻克光学“遮挡”难题,适用于纵横沟壑的阀体油路板等复杂结构;?

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(以上为新启航实测样品数据结果)

高精度大纵深:以±2μm精度实现最大130mm高度/深度扫描成像;?

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(以上为新启航实测样品数据结果)

③多镜头大视野:支持组合配置,轻松覆盖数十米范围的检测需求。

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(以上为新启航实测样品数据结果)

审核编辑 黄宇

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