浮思特 | IGBT 和 MOSFET 有啥区别?一文说清!

在做电力电子设计的朋友，经常会遇到一个选择题：IGBT 和 MOSFET，到底该用哪个?

这两个器件都是“功率半导体”的代表选手，常出现在变频器、充电桩、电动汽车、电源模块等场景。但它们各自的“性格”不一样，理解清楚才能用得顺手。今天就带大家来拆解一下。

01

MOSFET 是谁?IGBT 又是啥?

MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)

本质是“电压驱动、导通靠电子流动”。优点是开关速度快、驱动功耗低、导通电阻小。像 PowerMaster 的系列 MOSFET，就专门针对低压高速场景做了优化，在高频开关电源里效率表现很亮眼。

IGBT(绝缘栅双极型晶体管)

可以理解为“MOSFET 的输入端 + BJT 的输出端”。它有 MOSFET 的驱动优势，又有 BJT 承受大电流的能力。Trinno 的 IGBT 在中高压电机驱动和光伏逆变器里应用广泛，耐压高，可靠性强。

一句话总结：MOSFET 更像短跑健将，IGBT 更像大力士。

02

核心区别：导通损耗 vs. 开关速度

03

应用场景怎么选?

低压高速场合(<600V)比如：开关电源、DC-DC 模块、服务器电源、快充适配器 ——

MOSFET 更合适。这里像 PowerMaster 的低导通电阻 MOSFET，就常被用在高效率 DC-DC 电路里。

(在高频下依然保持较高效率，适合快充电源、服务器电源等场景)

中高压大功率场合(600V 以上)比如：光伏逆变器、电动车电机驱动、轨道交通、工业变频器 ——

IGBT 更常见。Trinno 的 IGBT 模块在这些大功率系统中表现稳定，工程师评价普遍是“耐压可靠，不怕硬仗”。

值得注意的是，SiC(碳化硅)MOSFET 正在崛起，能同时兼顾高压和高速，逐渐在高端市场挑战 IGBT 的地位。

04

工程师的小建议

如果你做的是几百瓦级别、低电压、追求高频效率，像 PowerMaster 的 MOSFET 产品就很值得关注。

如果你做的是几千瓦甚至兆瓦级别、大电流、高压场景，Trinno 的 IGBT 模块会让你省心不少。

当然，如果预算够，也可以尝试 SiC MOSFET —— 不过要注意成本。

MOSFET 和 IGBT 并不是“谁好谁坏”的关系，而是不同应用的最佳拍档：

MOSFET：快、灵活，适合中低压场景。

IGBT：稳、能扛，适合高压大功率。

选型时可以参考一句老话：用 MOSFET 做快的，用 IGBT 扛大的。

而在具体产品选择上，PowerMaster 的 MOSFET 和 Trinno 的 IGBT，都是工程师常用的可靠选择。