传三星 HBM4 通过英伟达认证，量产在即

电子发烧友网综合报道，据报道，有业内人士透露，三星在上个月向英伟达提供了HBM4样品，目前已经通过了初步的质量测试，将于本月底进入预生产阶段。如果能通过英伟达最后的验证步骤，最早可能在11月或12月开始实现大规模生产。这一进展将使得三星参与到下一阶段HBM订单的有力竞争。

三星还在HBM3E上提供了非常具有吸引力的报价，传闻向英伟达提供比SK海力士低20%至30%的报价，三星不得不通过激进定价策略来提升市场竞争力。

近日消息，SK海力士已向英伟达小批量供应HBM4，以支持英伟达的下一代AI加速器RubinGPU的出样计划。据悉，英伟达计划在2025年9月推出RubinGPU的样品，而SK海力士则提前调整供应节奏，以满足这一紧迫需求。

除了英伟达之外，SK海力士7月1日表示，正在与英特尔就GaudiAI加速器相关的HBM进行合作，SK海力士的第6代高带宽内存（HBM4）有可能安装在英特尔JaguarShoresAI显卡加速器产品中。

美光已经向多家主要客户提供其最新研发的12层堆叠36GBHBM4内存样品。美光的12层堆叠36GBHBM4内存采用成熟的1β（1-beta）DRAM制程，并结合先进的12层封装技术。与之前的产品相比，HBM4每个内存堆叠的传输速率超过2.0TB/s，性能较前一代产品提升超过60%。美光HBM4内存的2048位元接口为AI加速器提供了更广泛的带宽，显著提高AI推理的速度。

美光在发布会上透露，HBM4内存的生产进程已经与客户下一代AI平台的准备进度紧密配合，旨在确保无缝集成，并适时扩大产量以满足市场需求。

近日，美光首席商务官SumitSadana表示，与客户就2026年HBM供货量谈判取得显著进展。12层HBM3E良率提升速度远超8层，12层产品出货量已超过8层。预计明年供应产品大部分为12层的HBM3E，也可能包含HBM4。

另据韩媒报道，三星电子正在加紧招聘经验丰富的高带宽存储器(HBM)专家。此次招聘的目标是招募下一代半导体和芯片封装技术领域的经验丰富的工程师，包括混合键合，这一工艺被视为提高人工智能和其他计算应用性能的关键。与之相对应的是，三星电子正在缩减其表现不佳的晶圆代工部门的招聘规模。

具体来说，三星正在寻找能够为先进HBM设计新架构的封装开发专家，而产品规划人员则负责与对定制HBM感兴趣的客户进行沟通。定制HBM指的是垂直堆叠DRAM产品的一种版本，其底层芯片配备了客户指定的功能。预计三星电子最早将于明年将定制HBM推向市场。