Texas Instruments LM74900Q1EVM评估模块配置用于评估LM74900-Q1的运行情况。LM74900-Q1理想二极管控制器适合用于反向电池保护应用。LM74900Q1EVM可确定LM74900-Q1如何控制两个背靠背N沟道功率MOSFET,以模拟理想的二极管整流器。该仿真具有电源路径开/关控制、过流和过压保护特性。
数据手册:*附件:Texas Instruments LM74900Q1EVM评估模块数据手册.pdf
特性
PCB布局
测试设备设置
LM74900Q1EVM评估模块技术解析与应用指南
一、产品概述
LM74900Q1EVM是德州仪器(TI)推出的一款汽车级理想二极管控制器评估模块,专为评估LM749x0-Q1系列器件性能而设计。该模块通过驱动背对背N沟道MOSFET,实现了带有电源路径开关控制的理想二极管整流功能,同时集成了过流、短路和过压保护。
核心特性
- ?宽电压输入范围?:3V至65V,支持12V和24V汽车电池系统
- ?负压耐受能力?:可承受低至-65V的负向电压
- ?双MOSFET架构?:集成理想二极管控制器(DGATE)和电源路径开关控制(HGATE)
- ?多重保护机制?:过流、短路、过压及欠压保护
- ?可编程功能?:5A/10A可调过流保护、电路断路器定时器、自动重试/锁定选项
- ?状态指示?:故障指示灯和输出状态LED
二、硬件架构详解
1. 系统组成
评估模块包含三个主要部分:
2. 关键电路设计
- ?电源输入保护?:
- ?电流检测?:
- ?定时器配置?:
- J10跳线选择1ms/10ms定时或锁定模式
- 可编程故障响应时间
三、典型应用场景
四、评估测试指南
1. 基本测试配置
- ?测试设备要求?:
- ?默认跳线设置?:| 跳线 | 设置 | 功能 |
| ------ | ------ | ------------------- |
| J5 | 1-2 | EN接C(高电平使能) |
| J6 | 1-2 | 禁用SLEEP模式 |
| J11 | 3-4 | 5A过流保护 |
2. 关键测试项目
- ?上电/断电测试?:
- 通过J5控制EN引脚
- 观察VCAP-VVS、VOUT、HGATE和DGATE波形
- 典型启动时间<10ms
- ?过压保护测试?:
- 逐步增加输入电压至40V
- 验证37V过压保护阈值
- 观察HGATE关断行为
- ?过流响应测试?:
- 负载从4A阶跃至6A(5A保护阈值)
- 测量响应时间和自动重试周期
- 典型响应时间<1μs
- ?输出短路测试?:
- 输出端直接对地短路
- 验证短路保护响应
- 最大短路电流限制
五、设计注意事项
- ?热管理?:
- 功率MOSFET需适当散热
- 连续工作电流限制
- 环境温度不超过85°C
- ?布局建议?:
- 输入电容靠近VIN引脚
- 功率走线短而宽
- 合理布置接地过孔
- ?安全警告?:
- 操作时注意高压区域
- 避免输出短路
- 正确连接负载后再上电
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