Texas Instruments LM74912Q1EVM评估模块设计用于快速轻松地演示LMLM74912-Q1理想二极管控制器(采用24引脚VQFN封装)的运行情况。LM74912-Q1理想二极管控制器可驱动和控制外部背靠背N沟道MOSFET,模拟具有电源路径开/关控制功能的理想二极管整流器,具有过流和过压保护功能。TI LM74912Q1EVM评估模块的输入电压范围为3V至65V。
数据手册:*附件:Texas Instruments LM74912Q1EVM评估模块数据手册.pdf
特性
测试设备设置
布局
一、产品概述
德州仪器(TI)的LM74912Q1EVM是一款专为LM74912-Q1理想二极管控制器设计的评估模块,主要用于汽车电子和工业应用中的电源路径保护与控制。该模块具有以下核心特性:
- ?宽输入范围?:3V至65V工作电压,支持12V和24V汽车电池系统
- ?高集成度?:集成理想二极管控制器与负载断开功能
- ?多重保护?:提供过流、过压和反向电压保护
- ?低功耗设计?:睡眠模式下仅6μA静态电流
二、关键功能特性
2.1 理想二极管控制功能
- 驱动背靠背N沟道MOSFET模拟理想二极管整流器
- 集成DGATE控制实现反向输入保护和输出电压保持
- 可承受-65V至65V的输入电压范围
2.2 保护机制
- ?过流保护?:通过外部MOSFET的VDS检测实现短路保护
- ?过压保护?:可调过压切断功能(默认36.96V阈值)
- ?反向电压保护?:可承受-65V反向电压输入
2.3 控制特性
- EN引脚实现主动高电平使能控制
- SLEEP模式支持超低静态电流(6μA)
- FLT引脚提供故障指示输出
三、硬件设计解析
3.1 电气连接设计
评估模块提供标准化的接口配置:
- ?输入连接?:J1端子(VIN)和J3端子(PGND)
- ?输出连接?:J2端子(VOUT)和J4端子(PGND)
- ?滤波输出?:J9端子(VOUT_LC)提供CLC滤波后输出
3.2 PCB布局特点
- 四层板设计(顶层/内层1/内层2/底层)
- 功率走线位于顶层,底层为地平面
- 输入TVS保护器件(D1)靠近输入端子布置
- MOSFET(Q3,Q4)布局优化散热性能
3.3 关键器件选型
- ?主控IC?:LM74912QRGEQ1(24引脚VQFN封装)
- ?功率MOSFET?:TQM050NB06CR(60V/16A)
- ?输入TVS?:SMBJ33CA-13-F(33V双向TVS)
- ?输出电容?:EEV-FK1J221Q(100μF/63V铝电解)
四、评估操作指南
4.1 基本测试流程
- ?初始设置?:
- 配置跳线为默认位置(J5:1-2, J6:1-2, J7:1-2, J8:2-3, J13:2-3)
- 连接电源至J1(建议12V输入)和负载至J2
- ?启动操作?:
- 通过J5跳线控制EN使能(1-2位置为高电平使能)
- 监测TP5输出电压波形
- ?保护功能测试?:
- 过压测试:缓慢增加输入电压至37V观察HGATE关断
- 短路测试:输出短接至GND观察保护响应
4.2 典型测试配置
五、典型应用场景
5.1 汽车电子
- ADAS域控制器电源保护
- 摄像头和雷达ECU电源路径管理
- 车载信息娱乐系统电源保护
5.2 工业应用
5.3 冗余电源系统
- 服务器冗余电源ORing控制
- 通信设备备份电源切换
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