晶越半导体研制出高品质12英寸SiC晶锭

近日，晶越半导体传来重大喜讯，在半导体材料研发领域取得了新的里程碑式突破。继 2025 年上半年成功量产 8 英寸碳化硅衬底后，公司持续加大研发投入，不断优化工艺，于 7 月 21 日成功研制出高品质的 12 英寸 SiC 晶锭，这一成果标志着晶越半导体正式迈入 12 英寸 SiC 衬底的先进梯队。

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在大尺寸晶体生长过程中，诸多难题如热场分布不均、籽晶对位困难、厚度控制精度不足以及晶体缺陷风险增大等，一直是行业内亟待攻克的难关。面对这些挑战，晶越半导体团队展现出了卓越的科研实力与创新精神。他们系统性地对热场结构设计进行优化，精准调整籽晶粘接工艺参数，运用先进技术提升厚度均匀性控制方法，并在缺陷抑制方面取得了显著成效。通过对这些核心环节的协同优化，晶越成功实现了 12 英寸 SiC 晶体的高质量生长。

浙江晶越半导体有限公司成立于 2020 年 7 月 21 日，位于浙江省嵊州市经济开发区，由海外归国博士创立。公司通过整合海外创新技术与国内产业资源，组建了一支技术领先的专业团队。现阶段，公司主要专注于 6 - 8 英寸导电型碳化硅衬底材料的研发、生产与销售。此次 12 英寸 SiC 晶锭的成功研制，不仅是晶越半导体自身发展的重大飞跃，也为国内半导体材料行业注入了一剂强心针。

随着半导体产业的快速发展，SiC 作为第三代半导体材料的代表，因其具有高禁带宽度、高硬度和耐磨性、高热导率等优异特性，成为制造高压、高温、高频功率器件的理想材料。大尺寸 SiC 晶体的制备一直是全球技术难题，此前行业主流量产尺寸仍为 6 - 8 英寸衬底。晶越半导体此次成功研制出 12 英寸 SiC 晶锭，大幅提升了晶圆的有效可用面积，能够快速降低芯片单位成本，为国产 SiC 材料在新能源汽车、光伏储能、智能电网、5G及AI/AR智能眼镜等行业的快速规模化应用提供了可能。

在未来，晶越半导体表示将持续投入研发，专注于打磨产品、提高良率和优化参数，努力打造成为国内领先的碳化硅材料提供商。此次技术突破，也将进一步推动我国半导体产业在关键基础材料领域实现从 “追赶者” 向 “领跑者” 的角色转变，助力我国半导体产业在全球竞争中占据更有利的地位。

来源：半导体芯科技

审核编辑 黄宇