适用于伺服驱动器、HVAC和GPI的高效大功率三相逆变器解决方案
1200V STGSH50M120D将采用半桥配置的二极管和IGBT集成在一个ACEPACK SMIT封装中。该器件将M系列沟槽栅极场截止IGBT的稳健性与顶部冷却ACEPACK SMIT表面贴装封装出色的可靠性和散热性能相结合。
以下产品可助您应对设计性能挑战
ACEPACK SMIT半桥拓扑1200V、50A M系列IGBT,带二极管
TFS 1200V低损耗M系列
VCEsat较低,可达1.8V @ICN
提升导通和开关性能之间的平衡效果
具有短路保护(在VBUS=600V且TJstart=150°C的情况下短路耐受时间可达10us)
组合封装快速软恢复续流二极管
采用SMD贴装和顶部冷却
采用散热性能良好的DBC基板提供隔离
利用Kelvin引脚提升效率
STEVAL-ISD01KCB:符合SIL 2评估标准的22kW高端伺服驱动器
该产品外形紧凑小巧,设计用于需要伺服电机驱动提供大功率和SIL 2安全功能等级的各类应用场景。产品引入了安全扭矩关闭(STO)、安全制动控制(SBC)以及各类诊断功能和架构解决方案,可达到SIL 2安全等级和PLd性能等级,从而能够确保使用安全。功率级包含了意法半导体STGSH50M120D,其最大工作电压为800V。
STPOWER Studio在线电热模拟软件
此易于使用的设计辅助工具提供全面的功率和热分析,能够预测器件性能,从而缩短设计周期并节省时间与资源。此外,该工具还可帮助用户根据特定的应用任务配置文件选择最合适的器件。
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原文标题:1200V ACEPACK SMIT IGBT:提升三相逆变器性能
文章出处:【微信号:意法半导体工业电子,微信公众号:意法半导体工业电子】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
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