新品
TOLL和DFN封装CoolGaN 650V
G5第五代氮化镓功率晶体管
第五代CoolGaN 650V G5氮化镓功率晶体管可在高频工况下显著提升能效,符合业界最高质量标准,助力打造兼具超高效率与卓越可靠性的设计方案。该系列产品现已新增采用底部冷却技术的TOLL和DFN封装,其创新设计可降低各类工业及消费电子应用中的功率损耗。
产品型号:
■IGT65R025D2ATMA1
■IGT65R035D2ATMA1
■IGT65R045D2ATMA1
■IGT65R055D2ATMA1
■IGT65R140D2ATMA1
■IGLD65R055D2AUMA1
■IGLD65R080D2AUMA1
■IGLD65R110D2AUMA1
■IGLD65R140D2AUMA1
产品特点
650V增强型功率晶体管
超快开关速度
无反向恢复电荷
支持反向导通
低栅极电荷与低输出电荷
卓越的换向鲁棒性
动态导通电阻(RDS(on))极低
高ESD防护能力:2kV人体放电模型(HBM)-1kV元件充电模型(CDM)
底部散热封装
通过JEDEC认证(JESD47/JESD22标准)
应用价值
支持高频工作模式
实现系统最高能效
赋能超高功率密度设计
降低BOM成本
应用领域
计算和数据存储
电动汽车充电系统
工业电源
光伏
变流器
USB-C转换器与充电器
-
氮化镓
+关注
关注
61文章
1802浏览量
118196 -
DFN
+关注
关注
0文章
14浏览量
8691 -
功率晶体管
+关注
关注
3文章
683浏览量
18253
发布评论请先 登录
Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化镓 (GaN) 功率级数据手册

瑞萨电子推出650伏氮化镓场效应晶体管,推动高效电源转换技术

GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 数据手册

英飞凌推出采用新型硅封装的 CoolGaN? G3晶体管, 推动全行业标准化进程

ROHM携手ATX量产650V耐压GaN HEMT
上汽大众途昂Pro首发搭载第五代EA888发动机
英飞凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化镓功率分立器件

Snap发布第五代Spectacles AR眼镜
第五代AMD EPYC处理器预计下半年发布
Navitas推出新一代650V SiC MOSFET,采用高效TOLL封装

评论