BASiC半导体SiC方案如何突破车载OBC及壁挂充电效率与功率极限

BASiC半导体SiC方案如何突破车载充电效率与功率极限

引言：电动汽车充电技术的革新浪潮

随着全球电动汽车(EV)市场的爆发式增长，车载充电器(OBC)、DC-DC转换器及直流快充桩对高效、高功率密度的需求日益迫切。碳化硅(SiC)器件凭借其高频、耐高温、低损耗的特性，正成为这一领域的核心技术。BASiC半导体通过新一代SiC MOSFET、肖特基二极管及驱动解决方案，为行业提供了更高效率、更小体积、更低成本的完整技术路径。本文深度解析其技术亮点与应用实践。

倾佳电子(Changer Tech)-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管，SiC碳化硅MOSFET模块，碳化硅SiC-MOSFET驱动芯片，SiC功率模块驱动板，驱动IC)分销商，聚焦新能源、交通电动化、数字化转型三大方向，致力于服务中国工业电源，电力电子装备及新能源汽车产业链。

一、SiC器件选型：为不同场景精准匹配

BASIC半导体针对车载充电与直流桩的多样化需求，推出多套优化方案：

单级PFC+LLC拓扑(3.3kW/6.6kW)：

采用 B3M040065Z SiC MOSFET(650V/40mΩ)，搭配驱动芯片 BTDS350MCPR，实现单级高效率转换。

图腾柱PFC+CLLC方案(6.6kW/11kW)：

高压侧使用 AB2M080120H MOSFET(1200V/80mΩ)，副方支持400V/800V电池平台，适配双向能量流动需求。

三相PFC+CLLC方案(22kW)：

采用 AB2M040120Z MOSFET(1200V/40mΩ)，结合驱动芯片 BTD5350MCWR，满足大功率快充桩需求。

关键优势：通过灵活的器件组合，BASIC方案在400V/800V平台下均能实现>96%的系统效率，显著降低散热需求。

二、性能实测：效率与可靠性的双重突破

1. 仿真与实测数据验证

无桥PFC拓扑(6.6kW)：在220Vac输入下， B3M040065Z MOSFET 总损耗仅 29.41W，结温稳定在 141°C，较传统硅器件降低损耗30%以上。

高温稳定性：在125°C环境下，BASIC第三代SiC MOSFET(如 B3M040120Z)的导通电阻(RDS(on))温漂系数仅为 1.3倍，优于国际竞品。

2. 国际对标：FOM值全面领先

BASIC的 B3M040065Z(650V/40mΩ)FOM值(RDS(on) × Qg)为 2400 mΩ·nC，显著低于CREE(2835)和ST(1687.5)，开关损耗降低20%-30%。

1200V系列 B3M040120Z 在800V母线电压下，关断损耗较竞品减少 30%，总损耗优化 4%，适合高压平台长期运行。

三、驱动解决方案：破解SiC应用痛点

1. 米勒钳位功能：杜绝误开通风险

BASIC驱动芯片 BTD5350MCWR 集成米勒钳位电路，实测显示：

在800V/40A工况下，下管门极电压从 7.3V(无钳位)降至2V(有钳位)，彻底避免桥臂直通。

反向恢复电荷(Qrr)低至 0.16μC，与CREE、Infineon方案持平，但成本降低15%。

2. 即插即用驱动板

型号 BSRD-2423-ES01 支持24V/5V双输入，单通道输出峰值电流 10A，适配1200V SiC MOSFET。

配套电源芯片 BTP1521F(6W输出)与隔离变压器 TR-P15DS23-EE13，实现 全链路国产化替代，缩短客户开发周期。

四、技术创新：从器件到系统的全栈优势

封装革新：TOLL、TOLT、QDPAK等新封装降低寄生电感50%，热阻改善30%，支持高频化设计(>100kHz)。

双向能量流动：通过CLLC拓扑与SiC器件协同，支持V2G(车到电网)应用，拓展商业场景。

高性价比：BASIC第三代平面栅工艺(对比沟槽栅)在相同RDS(on)下成本降低20%，且高温性能更稳定。

抢占下一代充电技术的制高点

BASiC半导体通过 SiC器件+驱动+系统方案 的全栈布局，不仅解决了车载充电与壁挂直流桩的高效、高可靠性需求，更以国产化供应链优势助力客户降本增效。无论是6.6kW家用OBC，还是壁挂直流桩，BASiC的SiC技术正重新定义电动汽车的“能量心脏”。

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让效率与功率，再无边界。