基于SiC碳化硅模块的125kW工商业储能PCS解决方案：效率跃升1%

倾佳电子推广基于SiC碳化硅的125kW工商业储能PCS解决方案：效率跃升1%

随着全球工商业储能市场向高功率密度、高效率方向快速演进，传统IGBT方案已难以满足新一代储能变流器（PCS）的严苛需求。倾佳电子携手行业领先合作伙伴基本半导体（BASiC Semiconductor），推广基于SiC碳化硅功率模块的125kW工商业储能PCS整体解决方案，以革命性技术突破行业瓶颈。

传统IGBT方案的痛点

当前主流125kW PCS多采用T型三电平IGBT拓扑，存在明显局限：

效率瓶颈：额定工况效率普遍低于98%

体积庞大：占用空间大

散热压力：高温下开关损耗增加，制约过载能力

倾佳电子SiC碳化硅功率模块解决方案的核心突破

通过采用基本半导体BMF240R12E2G3 SiC MOSFET模块（1200V/5.5mΩ）为核心器件，倾佳电子实现三大升级：

1?? 效率跃升1%，功率密度提升25%

在32kHz开关频率、125kW满载工况下，模块效率达99.04%（不含电抗器）

整机体积缩减对比IGBT方案缩小28%

得益于SiC器件耐高温特性（结温175℃），散热设计更精简

仿真数据佐证：80℃散热器温度下，1.2倍过载（150kW）时模块最高结温仅142.1℃，总损耗300.2W，远优于传统方案。

2?? 独创技术应对电网浪涌风险

模块采用芯片内嵌SiC SBD二极管技术：

体二极管压降（VSD）低至1.35V（竞品普遍＞4.5V）

电网异常时浪涌电流导通损耗降低70%

抗反向恢复波动能力提升14倍（1000小时后Ron波动＜3%）

3?? 负温度开关特性颠覆行业认知

Eon损耗随温度升高而下降：

125℃时开通损耗比25℃降低15-20%

高温重载工况效率不降反升，完美匹配PCS硬开关拓扑需求

竞品（如I）Eon随温度上升而恶化

全栈技术赋能系统级创新

倾佳电子提供从功率器件到驱动控制的完整解决方案：

子系统 关键技术方案 核心优势

主功率模块BMF240R12E2G3 SiC半桥模块5.5mΩ超低导通电阻，支持32-40kHz高频运行

驱动方案BTD5350MCWR隔离驱动芯片 + 米勒钳位技术抑制SiC误开通风险，dv/dt耐受性提升50%

辅助电源1700V SiC MOSFET（B2M600170H）反激拓扑输入耐压1000V，输出功率50W

客户价值：全生命周期降本增效

?初始成本降低5%：1MW/2MWh系统仅需8台一体柜

?投资回报周期缩短：效率提升带来额外发电收益

?维护成本下降：Si3N4陶瓷基板经1000次温度冲击无分层，寿命提升3倍

倾佳电子——SiC碳化硅功率半导体赋能零碳未来

作为基本半导体一级代理商，倾佳电子提供：

定制化PCS设计：适配T型三电平/半桥两电平拓扑

联合仿真支持：结温/损耗多工况仿真报告输出

驱动板整合方案：米勒钳位/软关断/故障协调全保护

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审核编辑 黄宇