AI算力的“能耗之痛”
在AI训练集群中,单台服务器功耗已突破4kW,电源系统面临三重极限挑战:
效率瓶颈:传统硅器件在高压PFC段效率仅95%,年损耗电量超10万度/千台;
散热危机:电源模块温升>40℃,被迫使用暴力扇散热,噪音高达55dB;
体积桎梏:磁性元件体积占比超60%,制约机架密度提升。
仁懋氮化镓(GaN)解决方案,以“高频高效、极寒运行”重构AI电源设计逻辑。
高压段性能突破:PFC+LLC全GaN化
核心料号:MOTGD65R070N / MOTGD65R120Q / MOTGD65R160Q
技术亮点:
1. 超低导通损耗:
- MOTGD65R070N的RDS(on)仅70mΩ、@650V,PFC段效率大幅度提升;
- 支持1MHZ高频运行,PFC电感体积缩小50%。
2. 抗冲击防护:
- 通过IEC 61000-4-5雷击测试4级认证。
3. 高温稳定性:
- 175℃结温下参数漂移<5%,MTBF突破15万小时。
核心料号:MOT4815G(40V/15A)、MOT8840G(80V/40A)、MOT7848A(100V/48A)
技术亮点:
1.超快开关速度:
- MOT4815G的Qrr<10nC,反向恢复损耗降低70%;
- 支持2MHz开关频率,输出滤波电容体积减少80%。
2. 多相并联均流:
- MOT8840G动态均流偏差<3%,支持8相并联输出400A;
- 具有极低的热阻(RthJC),无散热片设计。
3. 智能驱动集成:
- MOT7848A内置温度传感与过流保护,故障响应时间<50ns。
场景化选型指南
| 功率段| PFC级推荐型号| DC/DC级推荐型号| 方案优势
| 240W | MOTGD65R120Q | MOT4815G×4相 | 无散热片设计,厚度<20mm
| 320W | MOTGD65R070N| MOT8840G×6相| 效率>98%@50%负载
| 400W | MOTGD65R160Q | MOT7848A×8相 | 支持12V/300A输出,纹波<30mV
当AI算力进入“千瓦级单机”时代,仁懋氮化镓以“让每一焦耳电力都转化为算力” 的硬核实力,正在为全球数据中心打造零损耗能量引擎。立即联系销售领取《AI服务器电源选型》,获取免费样片!
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