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30W高效率氮化镓电源方案概述

开关电源芯片 ? 来源:开关电源芯片 ? 2025-06-17 17:53 ? 次阅读
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A+C口兼容双接口电路,可满足多设备充电需求,还可以兼容传统USB-A设备,接口互补,场景覆盖广,依然是当前充电市场不可忽略的中坚力量。深圳银联宝科技推出的PD快充A+C口:30W高效率氮化镓电源方案U8722DE+U7110W,最大程度简化设计方案,易上手,低成本!

氮化镓电源IC U8722DE采用峰值电流控制模式,可以自适应的工作在QR和降频工作模式,从而实现全负载功率范围内的效率优化。在满载和重载工况下,系统工作在QR工作模式,可以大幅降低系统的开关损耗。芯片根据FB电压值调节谷底个数,同时为了避免系统在临界负载处的FB电压波动导致谷底数跳变,产生噪音,U8722DE采用了谷底锁定工作模式在负载一定的情况下,导通谷底数稳定,系统无噪音。随着负载的逐渐降低,系统导通的谷底个数逐渐增加,当谷底数超过6个时,不再检测谷底电压,系统进入降频工作模式,通过进一步降低开关频率,减小开关损耗,优化系统轻载效率。

同步整流内置MOSFET导通期间,同步整流ICU7110W采样MOSFET漏-源两端电压(Vds)。当Vds电压高于MOSFET关断阈值Vth_off (典型值0mV),经过关断延迟Td_off (典型值22ns),内置MOSFET的沟道关断。在VDD电压上升到VDD开启电压VDD_ON (典型值3.8V)之前,U7110W处于关机状态。内部Gate智能钳位电路可以保证内置MOSFET不会发生高dv/dt导致的误开通。当VDD电压达到VDD_ON之后,芯片启动,内部控制电路开始工作,副边绕组电流Is经内置MOSFET的沟道实现续流。当VDD电压低于欠压保护阈值VDD_OFF (典型值3.5V)后,芯片关机,副边绕组电流Is经内置MOSFET的体二极管实现续流。

深圳银联宝科技PD快充A+C口30W高效率氮化镓电源方案U8722DE+U7110W,原厂直销,一站式电源方案服务,降低综合持有成本,可搭配协议芯片OM5256一起使用,量大可谈!

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原文标题:PD快充A+C口:30W高效率氮化镓电源方案U8722DE+U7110W

文章出处:【微信号:gh_3980db2283cd,微信公众号:开关电源芯片】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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