25W氮化镓电源芯片方案介绍

同一套电源芯片方案，可直接应用于不同的电压输出上，这不仅有效节省成本，更是大大缩短了开发时间，使项目收益最大化。深圳银联宝科技最新推出的25W氮化镓电源芯片方案U8723AH+U7612B，输出可选5V、9V、12V，注重空间布局和兼容性问题，通过了认证测试，低耗高效，值得推荐！

01同步整流芯片 | U7612B

同步整流芯片U7612B是一款高频率、高性能、CCM同步整流开关，可以在GaN系统中替代肖特基整流二极管以提高系统效率。在VDD电压上升到VDD开启电压VDD_ON (典型值4.5V)之前，芯片处于关机状态。内部Gate智能钳位电路可以保证内置MOSFET不会发生高dv/dt导致的误开通。当VDD电压达到VDD_ON之后，芯片启动，内部控制电路开始工作，副边绕组电流Is经内置MOSFET的沟道实现续流。当VDD电压低于欠压保护阈值VDD_OFF(典型值3.3V)后，芯片关机，副边绕组电流Is经内置MOSFET的体二极管实现续流。

同步整流芯片U7612B的PCB设计建议：

1) 副边主功率回路Loop1的面积尽可能小。

2) VDD 电容推荐使用1μF的贴片陶瓷电容，尽量紧靠IC，Loop2的面积尽可能小。

3) R1和C1构成同步整流开关的RC吸收电路，RC吸收回路Loop3的面积可能小。

02氮化镓电源芯片| U8723AH

氮化镓电源芯片U8723AH引脚说明：

1 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚

2 FB I 系统反馈输入管脚

3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚

4 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极管脚

5 GND P 芯片参考地

6 VDD P 芯片供电管脚

7 DRAIN P 内置高压 GaN FET 漏极、高压启动供电管脚

氮化镓电源芯片U8723AH是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW的超低待机功耗。U8723AH的工作频率最高可达220kHz，可全范围工作在准谐振模式。芯片集成峰值电流抖动功能和驱动电流配置功能，可极大的优化系统EMI性能。芯片内置Boost供电电路，非常适用于宽输出电压的应用场景。

氮化镓电源芯片U8723AH+同步整流芯片U7612B组合方案，可显著降低空载待机功耗，和大幅提升满载和轻载效率，同时缩短市场投放时间和减少物料清单成本，适用于快速充电器、笔记本电源适配器、小功率电动工具充电器、服务器辅助电源等多种应用场景！