峰值效率98%，纳微12kW AI数据中心服务器电源，支持英伟达Backwell GPU

去年底纳微半导体发布全球首款8.5kW AI数据中心服务器电源，其采用了氮化镓和碳化硅技术的混合设计，实现了>97.5%的超高效率，完美适配AI和超大规模数据中心。如今，又推出12kW AI数据中心服务器电源。在2025慕尼黑上海电子展上，纳微半导体与兆易创新联合展示了最新AI服务器电源解决方案。

基于GD32G5系列高性能MCU的纳微12kW和8.5kW AI服务器电源解决方案中，GD32G5系列MCU具备丰富多样的数字模拟接口资源以及强化的安全性能，在功率控制方面展现了显著的优势。

以上两种先进技术平台均采用纳微半导体的大功率GaNSafe?氮化镓功率芯片和第三代快速碳化硅MOSFETs产品，第三代半导体混合设计的独特系统架构帮助分别实现超97.5%和98%的峰值效率，轻松超越最新发布的80 PLUS?红宝石“Ruby”电源认证标准。两个方案都是针对AI和超大规模数据中心设计，输出电压为50V，符合开放计算项目（OCP）和开放机架v3（ORv3）规范。

图源：电子发烧友网拍摄

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据介绍，纳微8.5kW AI数据中心服务器电源，其三相交错PFC和LLC拓扑结构中采用了高功率GaNSafe?氮化镓功率芯片和第三代快速碳化硅 MOSFETs，以确保实现最高效率和最佳性能，同时将无源器件的数量降至最低。

与竞争对手使用的两相拓扑相比，该电源所采用的三相拓扑结构，能为PFC和LLC带来行业内最低的纹波电流和EMI。此外，与最接近的竞品相比，该电源的氮化镓和碳化硅器件数量要少25%，进而降低了整体成本。该电源的输入电压范围为180至264 Vac，待机输出电压为12V，工作温度范围为-5°C至45°C，在8.5kW时的保持时间为10ms，通过扩展器可达到20ms。

该电源的三相LLC拓扑结构由高功率GaNSafe氮化镓功率芯片驱动，该芯片专为要求严苛的高功率应用（如AI数据中心和工业市场）而设计打造。GaNSafe作为纳微的第四代氮化镓产品集成了控制、驱动、传感和关键保护功能，具备前所未有的可靠性和鲁棒性。

当前，全球多达95%的数据中心都无法满足NVIDIA最新Blackwell GPU服务器的电源需求，这凸显了生态系统中的准备不足。Blackwell B200单颗芯片的功率高达1000W，一颗Grace CPU和两颗Blackwell GPU组成的超级芯片GB200功率达2700W。Blackwell B300是英伟达第二款Blackwell芯片，功率为1400瓦。纳微12kW和8.5kW AI服务器电源解决方案提供高峰值功率、高负载工作的强劲动力。

据介绍，在一个配备72个Blackwell GPU的服务器中，整体功耗可高达120千瓦?。将来还可能达到200多千瓦。因此未来服务器机柜设计时或考虑将电源部分独立成柜。

纳微半导体拥有从晶圆设计到生产协同合作再到测试验证，以及产品级测试等多重能力，能够充分挖掘氮化镓材料的性能，有效把控氮化镓产品的品质。这也使得纳微的氮化镓集成化方案性能突出，形成了坚实的技术和产品护城河。据了解，纳微半导体氮化镓产品目前采用6英寸晶圆，今年底有望切换至8英寸晶圆。