TPS51200-Q1 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器,专为空间受限的低输入电压、低成本、低噪声系统而设计。
TPS51200-Q1 器件保持快速瞬态响应,并且只需要 20 μF 的最小输出电容。TPS51200-Q1 器件支持远程感应功能以及 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 总线终端的所有电源要求。
*附件:tps51200-q1.pdf
此外,TPS51200-Q1 器件提供漏极开路 PGOOD 信号以监控输出调节,并提供可用于在 S3(挂起至 RAM)期间对 DDR 应用的 VTT 放电的 EN 信号。
TPS51200-Q1 器件采用热效率高的 VSON-10 封装,具有绿色和无铅两种等级。该器件的额定温度范围为 –40°C 至 125°C。
特性
- 适用于汽车应用
- AEC-Q100 测试指南,结果如下:
- 器件温度 1 级:-40°C 至 125°C 环境工作温度
- 器件 HBM ESD 分类 2 级
- 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
- 输入电压:支持 2.5V 轨和 3.3V 轨
- VLDOIN 电压范围:1.1 V 至 3.5 V
- 灌电流 / 拉电流终端稳压器包括压降补偿
- 对于存储器终端应用 (DDR),需要 20μF 的最小输出电容(通常为 3 × 10μF MLCC)
- PGOOD 监控输出调节
- EN 输入
- REFIN 输入允许直接或通过电阻分压器进行灵活的输入跟踪
- 遥感 (VOSNS)
- ±10mA 缓冲基准 (REFOUT)
- 内置软启动、UVLO 和 OCL
- 热关断
- 符合 DDR、DDR2 JEDEC 规范;支持 DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 应用
- VSON-10 封装,带外露导热垫
参数
1. 产品概述
- ?名称?:TPS51200-Q1
- ?类型?:DDR终止调节器
- ?应用?:汽车、笔记本、台式机、服务器、电信设备、LCD-TV、PDP-TV、复印机、打印机、机顶盒等
- ?特点?:支持2.5V和3.3V输入电压,具有VLDOIN电压范围1.1V至3.5V,包含下拉和上拉调节功能,具备远程感测功能,提供PGOOD输出和EN输入,内置软启动、UVLO和OCL保护,支持DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗DDR3和DDR4 VTT应用。
2. 主要规格
- ?输入电压?:2.5V至3.6V
- ?VLDOIN电压范围?:1.1V至3.5V
- ?输出电流?:源/沉电流限制为3A/4.5A
- ?PGOOD阈值?:±20% REFOUT
- ?REFOUT电压?:0.6V至1.8V,可缓冲±10mA
- ?封装?:VSON-10,带裸露热焊盘
- ?操作温度范围?:-40°C至125°C
3. 功能特性
- ?源/沉调节器?:集成高性能LDO线性调节器,支持快速负载瞬态响应。
- ?参考输入?:REFIN引脚可通过外部电压分压器或直接连接VDDQ总线来设置。
- ?参考输出?:REFOUT引脚生成DDR VTT参考电压,支持源/沉负载。
- ?软启动?:通过电流钳实现VO引脚的软启动功能。
- ?使能控制?:EN引脚控制VO调节器的开关。
- ?电源良好指示?:PGOOD引脚在VO输出稳定时输出高电平。
- ?过流保护?:LDO具有恒定过流限制。
- ?欠压锁定?:监测VIN电压,低于阈值时关闭VO和REFOUT调节器。
- ?热关断?:监测结温,超过阈值时关闭VO和REFOUT调节器。
4. 应用指南
- ?典型应用?:用于DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗DDR3和DDR4 VTT电源轨。
- ?设计考虑?:包括VIN和VLDOIN电容选择、输出电容配置、输出容差考虑等。
- ?设计示例?:提供了多个设计示例,包括3.3V IN DDR2配置、3.3V IN DDR3配置、2.5V IN DDR3配置等。
5. 布局建议
- ?输入电容?:应尽可能靠近VIN引脚放置。
- ?输出电容?:应尽可能靠近VO引脚放置,总电容需大于20μF。
- ?VOSNS引脚?:应连接到输出电容的正极,作为单独的迹线。
- ?热焊盘?:应连接到地平面,并通过多个过孔实现良好的热散逸。
6. 热考虑
- ?功率耗散?:根据源/沉电流和电压差计算。
- ?热阻?:从结到环境的热阻为52.7°C/W。
- ?热管理?:使用较大的热焊盘和增加过孔数量以降低热阻。
7. 封装与订购信息
- ?封装类型?:VSON-10,带裸露热焊盘
- ?引脚数量?:10
- ?环保计划?:符合RoHS标准,无铅
- ?样品可用性?:提供样品
8. 文档支持
- ?相关文档?:TPS51200-EVM用户指南
- ?社区资源?:TI E2E在线社区,提供技术支持和设计帮助
9. 注意事项
- 在处理静电敏感器件时,应采取适当的静电防护措施。
- 设计时应遵循布局和接地指南,以确保最佳性能。
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