TPS51200A-Q1 灌电流和拉电流 DDR 终端稳压器数据手册

TPS51200A-Q1 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 （DDR） 终端稳压器，专为空间受限的低输入电压、低成本、低噪声系统而设计。

该器件保持快速瞬态响应，并且只需要 20 μF 的最小输出电容。该器件支持远程感应功能以及 DDR、DDR2、DDR3 以及低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 总线终端的所有电源要求。
*附件：tps51200a-q1.pdf

此外，该器件还提供漏极开路 PGOOD 信号来监控输出调节，并提供可用于在 DDR 应用的 S3（挂起到 RAM）期间对 VTT 放电的 EN 信号。

该器件采用热效率高的 VSON-10 封装，具有绿色和无铅两种等级。该器件的额定温度范围为 –40°C 至 125°C。

特性

• 符合 AEC-Q100 标准，适用于汽车应用：
  • 器件温度等级 1：–40°C ≤ T 一个 ≤ 125°C
  • 器件 HBM ESD 分类 2 级
  • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
• 扩展可靠性测试
• 输入电压：支持 2.5V 轨和 3.3V 轨
• VLDOIN 电压范围：1.1 V 至 3.5 V
• 灌电流和拉电流端接稳压器包括压降补偿
• 对于存储器终端应用 （DDR），需要 20μF 的最小输出电容（通常为 3 × 10μF MLCC）
• PGOOD 监控输出调节
• EN 输入
• REFIN 输入允许直接或通过电阻分压器进行灵活的输入跟踪
• 遥感 （VOSNS）
• ±10mA 缓冲基准 （REFOUT）
• 内置软启动、UVLO 和 OCL
• 热关断
• 符合 DDR、DDR2 JEDEC 规范;支持 DDR3 和低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 应用
• VSON-10 封装，带外露导热垫

参数

方框图

1. 概述

TPS51200A-Q1是一款专为低输入电压、低成本、低噪声系统设计的DDR终止调节器，特别适用于空间受限的应用场景。该器件支持DDR、DDR2、DDR3及低功耗DDR3/DDR4的VTT总线终止，并集成了远程感测功能。

2. 主要特性

• ?AEC-Q100认证?：适用于汽车应用，温度范围为-40°C至125°C。
• ?宽输入电压范围?：支持2.5V和3.3V输入电压轨。
• ?灵活的VTT参考电压?：通过REFIN引脚可灵活设置VTT参考电压，支持DDR、DDR2、DDR3及低功耗DDR3/DDR4规格。
• ?低输出电容要求?：仅需最小20μF的输出电容即可实现稳定的操作。
• ?内置软启动、欠压锁定和过流保护?：提供安全可靠的电源管理功能。
• ?热关断功能?：防止器件过热损坏。
• ?PGOOD信号?：监控输出调节状态，提供开漏输出。
• ?小尺寸封装?：采用VSON-10封装，尺寸为3.00mm×3.00mm，适合空间受限的应用。

3. 功能描述

• ?源和汇终止调节器?：TPS51200A-Q1集成了一个高性能的低压差（LDO）线性调节器，能够同时提供源和汇电流，满足DDR内存终止的需求。
• ?远程感测?：通过VOSNS引脚实现远程电压感测，确保VTT电压的准确性。
• ?灵活的REFIN输入?：REFIN引脚可以通过外部电压分压器或直接连接内存供电总线（VDDQ）来设置，提供灵活的输入跟踪功能。
• ?REFOUT引脚?：提供±10mA的缓冲参考电压，用于DDR内存终止。
• ?软启动功能?：通过电流钳制实现软启动，避免启动时的浪涌电流。
• ?使能控制?：通过EN引脚控制设备的开启和关闭，支持S3和伪S5状态。

4. 应用

• 主要应用于DDR、DDR2、DDR3及低功耗DDR3/DDR4内存的VTT终止，适用于笔记本、桌面电脑、服务器、电信和数据通信、GSM基站、液晶电视和等离子电视、复印机、打印机、机顶盒等设备。

5. 典型应用电路

• 提供了多个典型应用电路，包括DDR3 VTT DIMM应用、DDR2配置、DDR3配置、低功耗DDR3/DDR4配置以及跟踪配置等，详细说明了设计参数和元件选择。

6. 布局与热考虑

• 强调了正确布局对性能的重要性，提供了布局指南和布局示例。
• 讨论了热设计考虑，包括热阻、热传导和热管理，确保器件在高功率耗散下的可靠运行。

7. 文档与支持

• 提供了详细的数据手册、应用报告、工具和软件支持。
• 可通过TI的E2E?在线社区获取技术支持和讨论。

8. 封装与尺寸

• 采用VSON-10封装，尺寸为3.00mm×3.00mm，具有裸露的热垫，用于提高热性能。

9. 注意事项

• 在使用过程中需遵守静电放电（ESD）预防措施，避免损坏器件。
• 布局时应遵循提供的布局指南，确保最佳性能。