ADL8100是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、宽带低噪声放大器(LNA),工作频率范围为0.01 GHz至20 GHz。ADL8100在0.01 GHz至6 GHz范围内提供20 dB典型增益,在6 GHz至14 GHz范围内提供2.5 dB典型噪声系数,在0.01 GHz至6 GHz范围内提供38 dBm典型输出三阶交调点(OIP3),采用5 V电源电压时功耗仅为220 mA。可通过牺牲OIP3和输出功率来降低功耗。ADL8100还具有内部匹配50Ω的直流耦合输入和输出。
数据手册:*附件:ADL8100 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器,0.01 GHz至20 GHz技术手册.pdf
ADL8100采用符合RoHS标准的2 mm × 2 mm、8引脚LFCSP封装。
特性
- 低噪声系数:2.5 dB(典型值,6 GHz至14 GHz时)
- 单正电源(自偏置)
- 高增益:20 dB(典型值,0.01 GHz至6 GHz)
- 高OIP3:38 dBm(典型值,0.01 GHz至6 GHz)
- 符合RoHS标准的2 mm x 2 mm、8引脚LFCSP封装
引脚配置和功能描述
接口示意图
典型特性
简易框图
典型应用
应用
- 卫星通信
- 电信
- 民用雷达
- 军用雷达
- 气象雷达
- 电子战
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