ADL8100 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器，0.01GHz至20GHz技术手册

概述
ADL8100是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、宽带低噪声放大器(LNA)，工作频率范围为0.01 GHz至20 GHz。ADL8100在0.01 GHz至6 GHz范围内提供20 dB典型增益，在6 GHz至14 GHz范围内提供2.5 dB典型噪声系数，在0.01 GHz至6 GHz范围内提供38 dBm典型输出三阶交调点(OIP3)，采用5 V电源电压时功耗仅为220 mA。可通过牺牲OIP3和输出功率来降低功耗。ADL8100还具有内部匹配50Ω的直流耦合输入和输出。
ADL8100采用符合RoHS标准的2 mm × 2 mm、8引脚LFCSP封装。
数据表：*附件：ADL8100 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器，0.01GHz至20GHz技术手册.pdf

应用

• 卫星通信
• 电信
• 民用雷达
• 军用雷达
• 气象雷达
• 电子战

特性

• 低噪声系数：2.5 dB（典型值，6 GHz至14 GHz时）
• 单正电源（自偏置）
• 高增益：20 dB（典型值，0.01 GHz至6 GHz）
• 高OIP3：38 dBm（典型值，0.01 GHz至6 GHz）
• 符合RoHS标准的2 mm x 2 mm、8引脚LFCSP封装

框图

引脚配置

接口示意图

ADL8100是一款GaAs、MMIC、pHEMT、宽带LNA。图104显示了一个简化框图。RFIN和RFOUTpins引脚DC耦合，匹配至50欧姆。ADL8100采用单电源供电，IDo通过在RBIAS引脚与外部电源电压之间连接一个电阻来设置。漏极偏置电压通常由外部偏置三通提供。

操作ADL8100的基本连接如图105所示。偏置电流通过在RBIAS和VDD引脚之间连接一个电阻来设置。使用5 V VDD时，建议使用560±2(R1)的电阻值，以实现220 mA的lpg。表9详细列出了不同RBIAs值下的IDo，其中电阻连接到5 V。
漏极电压通过外部连接的偏置三通(Marki BT-0040)施加于VDD引脚。有关该电路的更多信息，请参考EVAL-ADL8100用户指南。

图106显示ADL8100采用由表贴元件组成的偏置三通工作。