HMC404 GaAs MMIC次谐波IRM混频器芯片技术手册

概述
HMC404芯片是一款集成LO放大器的次谐波(x2) MMIC镜像抑制混频器，可用作上变频器或下变频器。 该芯片利用GaAs PHEMT技术，芯片整体面积为2.31mm?。 片内90°混合器件提供出色的振幅和相位平衡性能，镜像抑制大于22 dB。 LO放大器采用单偏置(+4V)双级设计，仅需+2 dBm的标称驱动。
数据表：*附件：HMC404 GaAs MMIC次谐波IRM混频器芯片技术手册.pdf

应用

• 26至33 GHz微波无线电
• 针对点对点无线电应用的上下变频器
• 卫星通信系统

特性

• • 集成LO放大器： +2 dBm输入
• 次谐波(x2) LO
• 镜像抑制： 22 dB
• 小尺寸： 1.90 x 1.25 mm

框图

电气规格

外形图

焊盘描述

毫米波砷化镓单片微波集成电路（GaAs MMIC）的安装与键合技术

芯片应通过共晶方式或使用导电环氧直接连接到接地层（详见HMC通用操作、安装、键合说明 ）。建议使用0.127毫米（5密耳）厚的氧化铝薄膜衬底制作50欧姆微带传输线，用于芯片的射频信号传输（图1）。如果使用0.254毫米（10密耳）厚的氧化铝薄膜衬底，芯片需凸起0.150毫米（6密耳），使芯片表面与衬底表面齐平。实现此目的的一种方法是将0.102毫米（4密耳）厚的芯片附着到0.150毫米（6密耳）厚的钼散热片（钼片）上，然后再将其连接到接地层（图2）。

为了缩短键合线长度，微带衬底应尽可能靠近芯片放置。芯片与衬底的典型间距为0.076毫米（3密耳）。推荐使用宽度为0.075毫米（3密耳）、长度小于0.31毫米（12密耳）的金带进行键合，以减小电感、射频损耗和插入损耗。

应在Vdd输入处使用射频旁路电容。建议使用100 pF单层电容（通过共晶或导电环氧安装），放置在距离芯片不超过0.762毫米（30密耳）处。

操作注意事项

遵循以下预防措施，以免造成永久性损坏：

• 存储 ：所有裸芯片应放置在基于醚华夫格或凝胶的静电防护容器中，然后密封在静电防护袋中运输。静电防护袋一旦打开，所有芯片应存放在干燥的氮气环境中。
• 清洁度 ：在清洁环境中操作芯片，请勿使用液体清洁系统清洁芯片。
• 静电敏感度 ：遵循静电防护措施，防止静电冲击。
• 瞬态 ：施加偏置时，抑制仪器和偏置电源的瞬态。使用屏蔽信号线和偏置电缆，以减少电感拾取。
• 一般操作 ：使用真空吸笔或锋利的弯头镊子沿芯片边缘操作芯片。芯片表面有脆弱的空气桥，请勿用真空吸笔、镊子或手指触碰。

安装

芯片背面已金属化，可使用金锡共晶预制件或导电环氧进行贴装。贴装表面应清洁平整。

• 共晶芯片贴装 ：推荐使用80/20的金锡预制件，工作表面温度为255°C，工具温度为265°C。使用90/10的氮氢混合气体时，工具尖端温度应为290°C。请勿使芯片暴露在高于320°C的温度下超过20秒，贴装过程中擦拭时间不得超过3秒。
• 环氧贴装 ：在贴装表面涂抹少量环氧，确保芯片放置到位后，其周边能形成一圈薄环氧边。按制造商的固化时间表固化环氧。

引线键合

推荐使用0.003英寸×0.0005英寸的带状键合线进行射频键合，热压超声键合压力为40 - 60克。推荐使用直径0.001英寸（0.025毫米）的直流键合线，热压超声键合。球键合推荐使用直径0.0015英寸（0.038毫米）的键合线，压力为18 - 22克。所有键合的标称阶段温度应为150°C。应施加最小限度的超声波能量，以实现可靠键合。所有键合线应尽可能短，长度小于12密耳（0.31毫米）。