HMC339 GaAs MMIC次谐波混频器芯片技术手册
概述
HMC339芯片是一款集成LO放大器的次谐波(x2) MMIC混频器，可用作上变频器或下变频器。 该芯片利用GaAs PHEMT技术，芯片整体面积为1.07mm?。 2LO至RF隔离性能出色，无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置（+3V至+4V）双级设计，仅需+2 dBm的标称驱动。 所有数据均采用50 ohm测试夹具中的芯片测得，该夹具通过直径为0.025mm (3 mil)、最小长度小于0.31 mm (<12 mils)的焊线连接。
数据表：*附件：HMC339 GaAs MMIC次谐波混频器芯片技术手册.pdf
应用
- 33至42 GHz微波无线电
- 针对点对点无线电应用的上下变频器
- 卫星通信系统
特性 - 集成LO放大器： +2 dBm输入
- 次谐波(x2) LO
- 高2 LO/RF隔离： >37 dB
- 裸片尺寸： 1.32 x 0.81 0.1 mm
逻辑图
电气规格
焊盘描述
装配图
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