概述
MAX2680/MAX2681/MAX2682微型、低成本、低噪声下变频混频器专为低电压工作而设计,非常适合便携式通信设备应用。RF输入端口的信号与本地振荡器(LO)端口的信号使用一个双平衡混频器进行混频。这些下变频混频器以400MHz至2500MHz之间的RF输入频率工作,并且下变频至10MHz至500MHz之间的IF输出频率。
MAX2680/MAX2681/MAX2682采用+2.7V至+5.5V单电源工作,因此可直接由3节镍镉电池或1节锂电池供电。这些器件提供范围广泛的电源电流和输入交调截取点(IIP3)电平,以优化系统性能。此外,每个器件都具有低功耗关断模式,在该模式下,其典型电源电流消耗低于0.1?A。有关IIP3和电源电流的各种组合,请参阅 选型指南 。
MAX2680/MAX2681/MAX2682采用高频、低噪声、先进的硅锗工艺制造,提供节省空间的6引脚SOT23封装。
数据表:*附件:MAX2682 400MHz至2.5GHz、低噪声、SiGe下变频混频器技术手册.pdf
应用
- 400MHz/900MHz/2.4GHz ISM波段无线电
- 蜂窝电话/无线电话
- IEEE 802.11和无线数据
- 个人通信系统(PCS)
- 无线本地环路(WLL)
特性 - 工作频率为400MHz至2.5GHz
- +2.7V至+5.5V单电源供电
- 低噪声系数:900MHz时为6.3dB (MAX2680)
- 高输入三阶交调截取点(2450MHz时的IIP3)
- 5.0mA时为-6.9dBm (MAX2680)
- 8.7mA时为+1.0dBm (MAX2681)
- 15.0mA时为+3.2dBm (MAX2682)
- 低功耗关断模式:< 0.1?A
- 超小型表贴封装
交流电气特性
典型工作特性(续)
典型操作电路
详细说明
MAX2680/MAX2681/MAX2682是400MHz至2.5GHz的硅锗双平衡下变频器混频器。其设计目的是在特定电源电流下实现最佳的线性度性能。它们由一个双平衡吉尔伯特单元混频器和单端射频(RF)及中频(IF)端口组成。片上偏置单元提供低功耗关断功能。有关器件功能和对比,请参考《选型指南》。
应用信息
本地振荡器(LO)输入
LO输入是一个单端宽带端口,典型电压驻波比(VSWR)小于2.0:1,频率范围为400MHz至2.5GHz。LO信号与RF输入信号混频,下变频后的输出出现在IFOUT端。通过一个电容耦合LO端口,LO端口的交流输入范围为-10dBm至0dBm(50Ω源)。
RF输入
RF输入频率范围为400MHz至2.5GHz。RF输入需要一个阻抗匹配网络以及一个隔直电容,作为匹配网络的一部分。有关匹配信息,请参考表1和表2,以及“典型工作特性”部分的“RF端口阻抗与RF频率”图表 。
IF输出
IF输出频率范围为10MHz至500MHz。IFOUT是一个高阻抗的集电极开路输出,需要外接电感连接到Vcc以实现正确偏置。为实现最佳性能,IF端口需要一个阻抗匹配网络。匹配网络的配置和元件值取决于所需的输出阻抗。如需选择最佳性能的元件,请参考表3和表4,以及“典型工作特性”部分的“IF端口阻抗与IF频率”图表。
电源和SHDN旁路
正确进行电源旁路对于高频电路稳定性至关重要。使用一个10μF电容与一个1000pF电容并联来旁路Vcc。为每个旁路电容使用单独的过孔,并尽量缩短走线长度以减小电感。将电容与接地层的接地引脚相连。采用低电感接地连接方式。
使用一个1000pF电容对接地的SHDN进行去耦,以减小SHDN引脚上的内部偏置单元产生的高频耦合。可使用一个串联电阻(通常为1000Ω)。
布局问题
精心设计的印刷电路板(PC)是射频电路的重要组成部分。为实现最佳性能,请关注电源问题,以及RFIN和IFOUT阻抗匹配网络的布局。电源布局
为了最小化集成电路不同部分之间的耦合,理想的电源布局是星形配置。一个大的去耦电容位于中央 Vcc 节点处。Vcc 走线从该中央节点引出,各自通向印刷电路板上的一个 Vcc 引脚。在每条走线的末端是一个具有低等效串联电阻(ESR)的旁路电容。这种布局在 Vcc 引脚处提供了局部去耦。在高频情况下,从中央 Vcc 节点引出的 Vcc 走线的电感会产生相对较高的阻抗(由 Vcc 走线电感形成),相对于任何其他电源引脚而言阻抗更高,同时通过旁路电容实现对地的低阻抗。
阻抗匹配网络布局
射频输入(RFIN)和中频输出(IFOUT)阻抗匹配网络对与布局相关的寄生参数非常敏感。为了最小化寄生电感,应使所有走线尽可能短,并将元件放置得尽量靠近芯片。为了最小化寄生电容,在接地层(以及任何其他层)中使用切口将匹配网络元件隔开。不过,要避免出现比必要尺寸更大的切口,因为它们会起到孔径天线的作用。
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