TPS53632G 器件是采用 D-CAP+ 架构的半桥 PWM 控制器 提供快速瞬态响应、最低输出电容和高 直接从 48V 总线进行单级转换的效率。The TPS53632G 设备支持标准 I^2^用于动态的 C Rev 3.0 接口 控制输出电压和电流监控遥测。与 TI GaN 配对 功率级和驱动器,TPS53632G 可以切换到高达 1 MHz 的 频率,以最大限度地减少 磁性元件尺寸并减小整体电路板空间。LMG5200 GaN 功率 stage 专为该控制器设计,以实现高频 在 48V 至 1V 转换时,效率高达 92%。
*附件:TPS53632G D-CAP+ ? 半桥 PWM 控制器,针对基于 GaN 的 48V 直流 直流转换器进行了优化,具有 I2C 接口数据表.pdf
其他功能包括输出转换速率和电压的可调控制 定位。此外,TPS53632G 器件可与其他 TI 一起使用 分立式功率 MOSFET 和驱动器,用于硅基半桥解决方案。这 TPS53632G器件采用节省空间的散热增强型 32 引脚 VQFN 封装 封装,额定工作温度范围为 –10°C 至 105°C。
特性
- 具有恒定导通时间控制的谷值电流模式
- 无损电流传感方案
- 我^2^用于 VID 控制和遥测的 C 接口
- 可编程 I^2^C 地址最多 8 台设备
- 开关频率高达 1 MHz
- 数字电流监视器
- 7 位 DAC 输出范围:0.50V 至 1.52V,步长为 10mV
- 精确、可调的电压定位或零斜率负载线
- 可选 8 级电流限制
- 可调输出转换速率控制
- 默认启动电压:1.00 V
- 小型 4mm × 4mm、32 引脚 VQFN PowerPAD 封装
参数
方框图
1. 产品概述
- ?型号?:TPS53632G
- ?类型?:半桥PWM控制器,优化用于基于GaN的48V DC/DC转换器
- ?特点?:集成D-CAP+?架构,具有快速瞬态响应、低输出电容和高效率;支持I?C接口,实现动态输出电压控制和电流监控
2. 关键特性
- ?控制模式?:谷值电流模式,恒定导通时间控制
- ?电流感应?:无损电流感应方案
- ?接口?:I?C接口,支持VID控制和遥测,可编程I?C地址,支持多达8个设备
- ?开关频率?:高达1MHz
- ?电流监控?:数字电流监控,7位DAC输出范围:0.50V至1.52V,步长10mV
- ?保护功能?:过压保护(OVP)、欠压保护(UVP)、过流保护(OCP)、热关断
3. 应用领域
4. 封装与尺寸
- ?封装类型?:32引脚VQFN,4mm x 4mm,带PowerPAD
- ?工作温度范围?:-10°C至105°C
5. 性能参数
- ?启动时间?:冷启动时间小于1.2ms
- ?PGOOD响应时间?:PGOOD高电平阈值190mV至245mV,低电平阈值-348mV至-280mV
- ?PWM和SKIP输出?:5V逻辑电平,PWM高电平时高侧驱动开启,低电平时低侧驱动开启
6. 配置与编程
- ?通过I?C接口?:可配置输出电压选择寄存器(VSR)、最大VID设置(VMAX)、电源状态、斜率设置等
- ?故障寄存器?:只读,包含设备热关断、OVP、UVP、OCP等状态
7. 设计资源与支持
- ?技术文档?:提供详细的数据表、应用信息、典型应用电路、布局指南等
- ?工具与软件?:支持TI的Code Composer Studio集成开发环境和FUSION_DIGITAL_POWER_DESIGNER GUI工具
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