UCCx8C5x 系列器件是高性能电流模式 PWM 控制器,可在各种应用中驱动 Si 和 SiC MOSFET。UCCx8C5x 系列是 UCCx8C4x 的更高效、更稳健的版本。
UCCx8C5x 系列具有新的 UVLO 阈值,可实现可靠的 SiC MOSFET作 (UCC28C56-59),此外,现有的 UVLO 阈值可持续支持 Si MOSFET (UCCx8C50-55)。
*附件:用于 Si 和 SiC MOSFET 的 UCCx8C5x 低功耗电流模式高性能 PWM 控制器数据表.pdf
VDD 绝对最大额定电压从 20V 扩展到 30V,以最佳方式驱动 20 V gs、18 V gs 或 15 V gs SiC MOSFET 的栅极,同时还允许排除外部 LDO。
UCCx8C5x 系列采用 8 引脚 VSSOP (DGK) 和 8 引脚 SOIC (D) 封装。
特性
- 欠压锁定选项,支持 Si 和 SiC MOSFET 应用
- 30V VDD 绝对最大电压
- 1MHz 最大固定频率作
- 50μA 启动电流,最大 75μA
- 低工作电流:1.3 mA(f OSC = 52 kHz 时)
- 快速 35ns 逐周期过流限制
- ±1A 峰值驱动电流
- 轨到轨输出
- 25ns 上升时间
- 20 ns 下降时间
- 精度为 ±1% 的 2.5V 误差放大器基准
- 引脚对引脚兼容,可直接替代 UCCx8C4x
- 功能安全
参数
1. 产品概述
- ?产品系列?:UCCx8C5x
- ?类型?:低功耗电流模式高性能 PWM 控制器
- ?应用领域?:适用于 Si 和 SiC MOSFET 的各种应用
- ?改进与优势?:相比 UCCx8C4x 系列,UCCx8C5x 系列具有更高的效率和鲁棒性,新增了支持 SiC MOSFET 的 UVLO 阈值。
2. 主要特性
- ?UVLO 选项?:支持 Si 和 SiC MOSFET 应用,具有多种 UVLO 阈值选择。
- ?绝对最大电压?:VDD 绝对最大电压为 30 V,适用于驱动 20-Vgs、18-Vgs 或 15-Vgs 的 SiC MOSFET。
- ?工作频率?:最大固定频率为 1 MHz。
- ?启动电流?:50 ?A(典型值),最大 75 ?A。
- ?工作电流?:在 fOSC = 52 kHz 时为 1.3 mA。
- ?过流限制?:具有 35 ns 的逐周期过流限制功能。
- ?驱动能力?:±1 A 峰值驱动电流,轨到轨输出,上升时间 25 ns,下降时间 20 ns。
- ?参考电压精度?:±1% 准确的 2.5 V 误差放大器参考电压。
- ?功能安全?:提供文档支持功能安全系统设计。
3. 封装与选项
- ?封装类型?:8 引脚 VSSOP(DGK)和 8 引脚 SOIC(D)
- ?选项?:包括 UCC28C50 至 UCC28C59,以及对应的汽车级版本 UCC28C5x-Q1,支持不同的 UVLO 阈值和最大占空比。
4. 电气规格
- ?绝对最大额定值?:包括输入电压、输出驱动电流、模拟输入电压等参数的最大值。
- ?推荐工作条件?:包括 VDD 输入电压、输出驱动电压、平均输出驱动电流等工作条件的推荐范围。
- ?电气特性?:详细列出了参考电压、振荡器、误差放大器、电流感应等关键参数的性能指标。
5. 功能描述
- ?保护功能?:包括欠压锁定(UVLO)、逐周期过流限制等。
- ?输出级?:具有高峰值电流驱动能力,适合驱动 N 沟道 MOSFET。
- ?振荡器?:具有精确的放电电流,可准确编程最大占空比和死区时间。
- ?软启动?:通过外部电容实现软启动功能,限制启动时的峰值电流。
- ?同步与使能?:支持外部时钟同步,具有使能和禁用功能。
6. 应用与实施
- ?典型应用?:提供了使用 UCC28C42 控制器在离线反激转换器中的典型应用示例。
- ?设计步骤?:包括输入电容选择、变压器设计、输出电容选择、电流感应网络设计等详细设计步骤。
- ?布局指南?:提供了 PCB 布局的建议,以减少噪声和提高系统稳定性。
7. 支持与文档
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