SiC模块并联ANPC拓扑在225kW储能变流器中的方案优势

BASiC基本半导体(BASiC Semiconductor)SiC模块BMF240R12E2G3并联ANPC拓扑在225kW储能变流器PCS中的损耗分析及方案优势

1. 损耗分析

1.1 导通损耗

计算公式：

Pcond?=Irms2??RDS(on)??N?D

母线电压 Vdc?=800V，输出功率 P=225kW，直流电流 Idc?=281.25A。

有效值电流 Irms?=199A（占空比 D=0.5）。

RDS(on)?=10mΩ（150°C时校正值）。

并联模块数 N=2。

结果：

Pcond?=1992?0.010?2?0.5=396W

1.2 开关损耗

计算公式：

Psw?=(Eon?+Eoff?)?fsw??N

数据手册中 Eon?=40mJ，Eoff?=35mJ（插值自图13，199A工况）。

开关频率 sw?=20kHz。

结果：

Psw?=(0.040+0.035)?20,000?2=3,000W

1.3 体二极管损耗

反向恢复损耗：SiC体二极管零反向恢复，可忽略。

正向导通损耗：

Pdiode?=VSD??Iavg??Ddead??N

VSD?=1.25V，死区时间占比 Ddead?=2%。

结果：

Pdiode?=1.25?199?0.02?2≈10W

1.4 总损耗与效率

Ptotal?=396W+3,000W+10W=3,406W

效率：

η=225,000+3,406225,000?≈98.5%

2. 方案优势分析

2.1 高频性能与效率

20kHz开关频率下，SiC MOSFET的快速开关特性（?nston?≈25ns，?nstoff?≈17ns）显著降低开关损耗，相比硅基IGBT效率提升3%-5%。

2.2 高温稳定性

最高结温 Tvj?=175°C，允许在高温环境下稳定运行，减少散热系统复杂度。

2.3 体积与重量优化

高频运行减少滤波电感和电容的体积（可降低30%-50%），适合紧凑型储能变流器设计。

2.4 并联均流能力

低导通电阻偏差（模块一致性高）和低寄生电感设计（集成Press-FIT技术），确保并联模块均流，提升系统可靠性。

2.5 低反向恢复损耗

内置SiC肖特基二极管零反向恢复特性，消除传统硅二极管的反向恢复损耗，提升系统动态响应。

3. 潜在挑战与改进建议

热管理优化：模块热阻 Rth(j-c)?=0.09K/W，需采用液冷散热或高性能风冷。

驱动电路设计：确保驱动电压 VGS?=+18/?4V 的稳定性和抗干扰能力。

BASiC基本股份针对SiC碳化硅MOSFET多种应用场景研发推出门极驱动芯片，可适应不同的功率器件和终端应用。BASiC基本股份的门极驱动芯片包括隔离驱动芯片和低边驱动芯片，绝缘最大浪涌耐压可达8000V，驱动峰值电流高达正负15A，可支持耐压1700V以内功率器件的门极驱动需求。

BASiC基本股份低边驱动芯片可以广泛应用于PFC、DCDC、同步整流，反激等领域的低边功率器件的驱动或在变压器隔离驱动中用于驱动变压器，适配系统功率从百瓦级到几十千瓦不等。

BASiC基本股份推出正激 DCDC 开关电源芯片BTP1521xx，该芯片集成上电软启动功能、过温保护功能，输出功率可达6W。芯片工作频率通过OSC 脚设定，最高工作频率可达1.5MHz，非常适合给隔离驱动芯片副边电源供电。

对SiC碳化硅MOSFET单管及模块+18V/-4V驱动电压的需求，BASiC基本股份提供自研电源IC BTP1521P系列和配套的变压器以及驱动IC BTL27524或者隔离驱动BTD5350MCWR(支持米勒钳位)。

动态均流验证：通过实验验证并联模块的均流效果，优化布局对称性。

结论

采用双并联BASiC基本半导体(BASiC Semiconductor) BMF240R12E2G3的ANPC拓扑，在20kHz开关频率下可实现约98.5%的系统效率，结合高频、高温稳定性和紧凑设计，显著优于传统硅基IGBT方案。该方案适用于高功率密度储能变流器PCS，需重点关注散热与驱动设计以最大化SiC器件性能。

BASiC基本股份自2017年开始布局车规级SiC碳化硅器件研发和制造，逐步建立起规范严谨的质量管理体系，将质量管理贯穿至设计、开发到客户服务的各业务过程中，保障产品与服务质量。BASiC基本股份分别在深圳、无锡投产车规级SiC碳化硅（深圳基本半导体）芯片产线和汽车级SiC碳化硅功率模块（无锡基本半导体）专用产线；BASiC基本股份自主研发的汽车级SiC碳化硅功率模块已收获了近20家整车厂和Tier1电控客户的30多个车型定点，是国内第一批SiC碳化硅模块（比如BASiC基本股份）量产上车的头部企业。

审核编辑 黄宇