LPCVD氮化硅薄膜生长的机理
文章来源：Tom聊芯片智造
原文作者：Tom
本文解释了LPCVD生长的氮化硅薄膜更致密
氮化硅薄膜生长的机理
LPCVD生长的方程式：
PECVD生长的方程式：
可以看出, SiH4提供的是Si源，N2或NH3提供的是N源。但是由于LPCVD反应温度较高，氢原子往往从氮化硅薄膜中去除，因此反应物中氢的含量较低。氮化硅中主要由硅和氮元素组成。而PECVD反应温度低，氢原子可以作为反应的副产物保留在薄膜中，占据了N原子与Si原子的位置，使薄膜中的氢含量较高，导致生成的薄膜不致密。
为什么PECVD常用NH3来提供氮源?
NH3分子包含是N-H单键，而N2分子包含的是N≡N三键，N≡N更稳定，键能更高，即发生反应需要更高的温度。NH?的低N-H键能使其成为低温PECVD过程中氮源的首选。
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原文标题：为什么LPCVD生长的氮化硅薄膜更致密？
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