台积电在欧洲技术研讨会上展示HBM4的12FFC+和N5制造工艺

5月17日，台积电应邀出席本周的2024年欧洲技术研讨会并展出了两款HBM4基础Dies，其中一款基于12FFC+（12nm）工艺，另一款则利用N5（5nm）技术进行生产，旨在提升HBM4的性能与能效。

台积电设计与技术平台高级总监对此表示：

目前，我们正在携手众多HBM存储伙伴（如美光、三星、SK海力士等）共同推进HBM4在先进制程中的全面集成。12FFC+基础Dies在满足HBM性能需求的同时，具有显著的成本优势；而N5基础Dies则可在较低功耗条件下实现HBM4的预期速度。

借助台积电12FFC+工艺（源于其成熟的16nmFinFET技术），我们将能够制造出适用于12-Hi及16-HiHBM4存储器堆栈的基础芯片，其容量分别高达48GB和64GB。

通过运用12FFC+工艺，我们有望打造出“高性价比”的基础芯片，这些芯片将通过硅内插件将内存与主机处理器相连接。