SK海力士将采用台积电7nm制程生产HBM4内存基片
据韩国媒体The Elec报道，预计SK海力士将在HBM4内存基础裸片部分采用台积电7nm制程。值得注意的是，台积电7nm系列产能正逐步转向6nm生产模式，因此韩媒所提“7nm系”可理解为该生产线。
HBM内存基础裸片即DRAM堆叠基座，兼具与处理器通信的控制功能。SK海力士近期与台积电签订HBM内存合作协议，首要任务便是提升HBM基础逻辑芯片性能。
SK海力士以往使用存储半导体工艺制作HBM产品基础裸片，但在HBM4项目中，台积电将运用先进逻辑工艺为其代工，以实现更多功能及更高效率，满足客户对定制化HBM的需求。
SK海力士计划在2026年前实现HBM4内存量产。然而，TrendForce集邦咨询去年11月曾预测HBM4基础裸片将基于12nm工艺。
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