0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

三星电子坚持下调DRAM和NAND产能,即便市场需求上升

jf_35673951 ? 来源:jf_35673951 ? 作者:jf_35673951 ? 2023-07-31 10:31 ? 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

近日有消息称,三星电子在当地时间周四发布的二季度财报中预计,存储芯片的需求在下半年将逐渐恢复,但是即便如此,三星电子并没有计划增加产量,并且打算继续削减DRAM和NAND闪存的产量。

据了解,三星电子此举或与当前存储芯片市场的不稳定局势有关。在刚刚发布的财报当中可以看到,在二季度,三星电子的存储业务营收达到8.97万亿韩元,环比增长1%,但同比下滑了高达57%。

Multiable万达宝ERP融入前沿技术,提供个性化定制服务,满足复杂业务管理需求。

事实上,这已经是连续第四个季度出现同比大幅下滑,而且连续两个季度的同比下滑幅度均超过50%。尤其是设备解决方案部门,在二季度亏损达4.36万亿韩元,连续两个季度的亏损额超过了4万亿韩元loprhsbka。

不仅是三星电子,韩国另一家大型存储芯片制造商SK海力士在二季度的状况也并不乐观。尽管营收环比增长了44%,达到了7.3万亿韩元,但同比下滑了47%,净亏损接近2.99万亿韩元,比上一季度的2.59万亿韩元亏损还有进一步扩大。

以上源自互联网,版权归原作所有

审核编辑 黄宇

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • DRAM
    +关注

    关注

    40

    文章

    2352

    浏览量

    186009
  • NAND
    +关注

    关注

    16

    文章

    1727

    浏览量

    138500
  • 三星电子
    +关注

    关注

    34

    文章

    15890

    浏览量

    182488
  • ERP
    ERP
    +关注

    关注

    0

    文章

    561

    浏览量

    35249
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    三星在4nm逻辑芯片上实现40%以上的测试良率

    三星电子在 HBM3 时期遭遇了重大挫折,将 70% 的 HBM 内存市场份额拱手送给主要竞争对手 SK 海力士,更是近年来首度让出了第一大 DRAM 原厂的宝座。这迫使
    发表于 04-18 10:52

    三星电子否认1b DRAM重新设计报道

    据报道,三星电子已正式否认了有关其将重新设计第五代10nm级DRAM(即1b DRAM)的传闻。这一否认引发了业界对三星
    的头像 发表于 01-23 15:05 ?640次阅读

    三星否认重新设计1b DRAM

    据DigiTimes报道,三星电子对重新设计其第五代10nm级DRAM(1b DRAM)的报道予以否认。 此前,ETNews曾有报道称,三星
    的头像 发表于 01-23 10:04 ?1030次阅读

    三星重启1b nm DRAM设计,应对良率与性能挑战

    近日,据韩媒最新报道,三星电子在面对其12nm级DRAM内存产品的良率和性能双重困境时,已于2024年底作出了重要决策。为了改善现状,三星决定在优化现有1b nm工艺的基础上,全面重新
    的头像 发表于 01-22 14:04 ?989次阅读

    三星电子削减NAND闪存产量

    近日,三星电子已做出决定,将减少其位于中国西安工厂的NAND闪存产量。这一举措被视为三星电子为保护自身盈利能力而采取的重要措施。 当前,全球
    的头像 发表于 01-14 14:21 ?611次阅读

    三星削减中国西安NAND闪存产量应对市场变化

    产量将从平均20万片减少至约17万片。同时,位于韩国华城的生产线也在进行相应调整,整体产能有所下降。 此次减产举措体现了三星电子在激烈市场竞争中的盈利能力保护策略。随着SK海力士等竞争
    的头像 发表于 01-14 10:08 ?614次阅读

    三星MLC NAND闪存或面临停产传闻

    近日,业界传出消息称,三星电子将大幅削减MLC NAND闪存的产能供给,并计划在2024年底停止在现货市场销售该类产品,而到了2025年6月
    的头像 发表于 11-21 14:16 ?1139次阅读

    MLC NAND产能或遭削减?三星否认停产传闻

    近日,业界传出消息,MLC NAND(多层单元闪存)的产能供给将大幅削减,其中三星电子被指将调整产能。据
    的头像 发表于 11-20 16:13 ?1196次阅读

    三星平泽P4一期产线调整:将同时生产DRAMNAND Flash

    据韩国媒体报道,三星电子已决定调整其平泽园区P4产线第一期的产能分配,以应对市场需求的快速变化。这一决策标志着三星
    的头像 发表于 11-13 14:19 ?807次阅读

    三星电子OLED面板需求激增,携手天马微电子填补供应缺口

    11月8日,据最新报道,三星电子今年对其智能手机产品线中的OLED面板需求预计将达到惊人的1.632亿块。然而,一个挑战也随之而来:三星显示当前的
    的头像 发表于 11-08 17:06 ?1574次阅读

    三星与铠侠计划减产NAND闪存

    近日,据供应链消息,三星电子与铠侠正考虑在第四季度对NAND闪存进行减产,并预计根据市场状况分阶段实施。
    的头像 发表于 10-30 16:18 ?735次阅读

    三星下调HBM产能目标,强化研发与生产协作

    据业内人士透露,三星电子已对其2025年底的高带宽内存(HBM)最大产能目标进行了调整。原定的每月20万颗产能目标已被下调至每月17万颗,降
    的头像 发表于 10-15 17:05 ?985次阅读

    三星或将HBM产能目标下调至每月17万颗

    据业内人士透露,三星电子已对其2025年底的高带宽内存(HBM)最大产能目标进行了调整,下调幅度超过10%,从原先计划的每月20万颗减至17万颗。这一变动主要归因于向主要客户的量产供应
    的头像 发表于 10-14 16:00 ?907次阅读

    三星电子调整HBM内存产能规划,应对英伟达供应延迟

    近日,三星电子因向英伟达供应HBM3E内存的延迟,对其HBM内存的产能规划进行了调整。据韩媒报道,三星已将2025年底的产能预估
    的头像 发表于 10-11 17:37 ?1132次阅读

    三星调整晶圆代工策略,聚焦NAND Flash与HBM

    三星电子近期调整了其晶圆代工产能扩充计划,决定暂缓平泽P4工厂的进一步扩建,转而将重心放在NAND Flash与高频宽存储器(HBM)的生产上。这一战略调整反映了
    的头像 发表于 09-19 17:23 ?1438次阅读