0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

MLC NAND产能或遭削减?三星否认停产传闻

科技绿洲 ? 来源:网络整理 ? 作者:网络整理 ? 2024-11-20 16:13 ? 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

近日,业界传出消息,MLC NAND(多层单元闪存)的产能供给将大幅削减,其中三星电子被指将调整产能。据市场传言,三星计划在2024年底现货市场停止销售MLC NAND,并可能在2025年6月全面停产该产品。

然而,三星对此传闻表示否认,并强调市场传言不实,称公司未来将持续生产MLC NAND。尽管如此,供应链业者仍指出,随着三星年底的人事大改组,产线规划可能会有所调整。

MLC NAND,全称为Multi-Level Cell,是一种通过大量电压等级来储存数据的闪存技术。与SLC(单层单元闪存)相比,MLC的每个单元可以储存两位数据,因此数据密度更高。但相应地,MLC的擦除次数相对较少,一般厂家宣称的擦除次数为3000次,远低于SLC的100000次。

尽管三星否认了停产传闻,但业界对于MLC NAND的未来仍持谨慎态度。供应链业者的观点以及三星的人事改组都可能对MLC NAND的产能和供应产生影响。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 闪存
    +关注

    关注

    16

    文章

    1849

    浏览量

    116101
  • NAND
    +关注

    关注

    16

    文章

    1723

    浏览量

    138358
  • MLC
    MLC
    +关注

    关注

    0

    文章

    41

    浏览量

    17591
  • 三星
    +关注

    关注

    1

    文章

    1703

    浏览量

    32869
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    回收三星S21指纹排线 适用于三星系列指纹模组

    深圳帝欧电子回收三星S21指纹排线,收购适用于三星S21指纹模组。回收三星指纹排线,收购三星指纹排线,全国高价回收三星指纹排线,专业求购指纹
    发表于 05-19 10:05

    三星西安NAND闪存工厂将建第九代产线

    近日,据韩媒报道,三星位于中国西安的NAND闪存工厂正在加速推进技术升级与产能扩张计划。该工厂在成功将制程从第六代V-NAND(即136层技术)转换至第八代V-
    的头像 发表于 02-14 13:43 ?747次阅读

    三星电子否认1b DRAM重新设计报道

    据报道,三星电子已正式否认了有关其将重新设计第五代10nm级DRAM(即1b DRAM)的传闻。这一否认引发了业界对三星电子内存产品策略的新
    的头像 发表于 01-23 15:05 ?620次阅读

    三星大幅削减2025年晶圆代工投资

    近日,三星电子宣布了一项重大决策,将大幅削减其晶圆代工部门在2025年的设施投资。据透露,与上一年相比,此次削减幅度将超过一半。 具体来说,三星晶圆代工已将2025年的设施投资预算定为
    的头像 发表于 01-23 14:36 ?555次阅读

    三星否认重新设计1b DRAM

    据DigiTimes报道,三星电子对重新设计其第五代10nm级DRAM(1b DRAM)的报道予以否认。 此前,ETNews曾有报道称,三星电子内部为解决12nm级DRAM内存产品面临的良率和性能
    的头像 发表于 01-23 10:04 ?1000次阅读

    三星电子削减NAND闪存产量

    近日,三星电子已做出决定,将减少其位于中国西安工厂的NAND闪存产量。这一举措被视为三星电子为保护自身盈利能力而采取的重要措施。 当前,全球NAND闪存市场面临供过于求的局面,预计今年
    的头像 发表于 01-14 14:21 ?590次阅读

    三星削减中国西安NAND闪存产量应对市场变化

    近日,三星电子宣布将对其在中国西安的NAND闪存工厂实施减产措施,以应对全球NAND市场供过于求的现状及预期的价格下滑趋势。据《朝鲜日报》报道,三星决定将该工厂的晶圆投入量
    的头像 发表于 01-14 10:08 ?594次阅读

    三星减少NAND生产光刻胶使用量

    近日,据相关报道,三星电子在3D NAND闪存生产领域取得了重要技术突破,成功大幅减少了光刻工艺中光刻胶的使用量。 据悉,三星已经制定了未来NAND闪存的生产路线图,并计划在这一生产过
    的头像 发表于 11-27 11:00 ?670次阅读

    三星MLC NAND闪存面临停产传闻

    近日,业界传出消息称,三星电子将大幅削减MLC NAND闪存的产能供给,并计划在2024年底停止在现货市场销售该类产品,而到了2025年6月
    的头像 发表于 11-21 14:16 ?1106次阅读

    三星与铠侠计划减产NAND闪存

    近日,据供应链消息,三星电子与铠侠正考虑在第四季度对NAND闪存进行减产,并预计根据市场状况分阶段实施。
    的头像 发表于 10-30 16:18 ?704次阅读

    三星将HBM产能目标下调至每月17万颗

    据业内人士透露,三星电子已对其2025年底的高带宽内存(HBM)最大产能目标进行了调整,下调幅度超过10%,从原先计划的每月20万颗减至17万颗。这一变动主要归因于向主要客户的量产供应遭遇延迟,导致三星对其尖端的HBM设备投资计
    的头像 发表于 10-14 16:00 ?869次阅读

    三星电子调整HBM内存产能规划,应对英伟达供应延迟

    近日,三星电子因向英伟达供应HBM3E内存的延迟,对其HBM内存的产能规划进行了调整。据韩媒报道,三星已将2025年底的产能预估下调至每月17万片晶圆,这一调整反映了半导体行业当前紧张
    的头像 发表于 10-11 17:37 ?1113次阅读

    三星电子计划大幅削减芯片高管职位并重组业务

    近日,三星电子被曝出计划对其芯片高管职位进行大幅削减,并着手重组半导体相关业务。据相关消息称,三星电子正在对其设备解决方案(DS)部门下的内存部门进行严格的审计,该部门主要负责监管公司的半导体业务。
    的头像 发表于 10-11 15:56 ?621次阅读

    三星调整晶圆代工策略,聚焦NAND Flash与HBM

    三星电子近期调整了其晶圆代工产能扩充计划,决定暂缓平泽P4工厂的进一步扩建,转而将重心放在NAND Flash与高频宽存储器(HBM)的生产上。这一战略调整反映了三星对当前市场需求的精
    的头像 发表于 09-19 17:23 ?1416次阅读

    三星否认HBM3E芯片通过英伟达测试

    近日,有关三星的8层HBM3E芯片已通过英伟达测试的报道引起了广泛关注。然而,三星电子迅速对此传闻进行了回应,明确表示该报道并不属实。
    的头像 发表于 08-08 10:06 ?913次阅读