附录A 4H-SiC中的不完全杂质电离∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
附录A 4H-SiC中的不完全杂质电离
附录
《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
碳化硅
+关注
关注
25文章
3101浏览量
50760
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
为什么碳化硅Cascode JFET 可以轻松实现硅到碳化硅的过渡？
，碳化硅具备多项技术优势（图1），这使其在电动汽车、数据中心，以及直流快充、储能系统和光伏逆变器等能源基础设施领域崭露头角，成为众多应用中的新兴首选技术。 表1 硅
发表于 03-12 11:31
?677次阅读
SiC碳化硅MOSFET功率器件双脉冲测试方法介绍
碳化硅革新电力电子，以下是关于碳化硅（SiC）MOSFET功率器件双脉冲测试方法的详细介绍，结合其技术原理、关键步骤与应用价值，助力电力电子
碳化硅功率器件的封装技术解析
碳化硅（SiC）功率器件因其低内阻、高耐压、高频率和高结温等优异特性，在电力电子系统中得到了广泛关注和应用。然而，要充分发挥SiC
什么是MOSFET栅极氧化层？如何测试SiC碳化硅MOSFET的栅氧可靠性？
随着电力电子技术的不断进步，碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐，成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅MOSFET器件
发表于 01-04 12:37
8英寸单片高温碳化硅外延生长室结构
随着碳化硅（SiC）材料在电力电子、航空航天、新能源汽车等领域的广泛应用，高质量、大面积的SiC外延生长技术变得尤为重要。8英寸
磨料形貌及分散介质对4H碳化硅晶片研磨质量有哪些影响
磨料形貌及分散介质对4H碳化硅（4H-SiC）晶片研磨质量具有显著影响。以下是对这一影响的详细分析：
一、磨料形貌的影响
磨料形貌是研磨过程中影响4H-SiC晶片质量的关键因素之一。
碳化硅SiC在光电器件中的使用
。 高热导率 ：SiC的热导率是Si的三倍以上，有助于器件的散热。 高电子饱和速度 ：SiC的电子饱和速度高于Si，适合于高速电子器件。 化学稳定性 ：
碳化硅SiC在电子器件中的应用
随着科技的不断进步，电子器件的性能要求也日益提高。传统的硅（Si）材料在某些应用中已经接近其物理极限，尤其是在高温、高压和高频领域。碳化硅（SiC）作为一种宽带隙（WBG）半导体材料，
碳化硅SiC材料应用 碳化硅SiC的优势与性能
碳化硅SiC材料应用 1. 半导体领域 碳化硅是制造高性能半导体器件的理想材料，尤其是在高频、高温、高压和高功率的应用中。
碳化硅功率器件的工作原理和应用
碳化硅（SiC）功率器件近年来在电力电子领域取得了显著的关注和发展。相比传统的硅（Si）基功率器件，碳化硅具有许多独特的优点，使其在高效能、
碳化硅功率器件的优点和应用
碳化硅（SiliconCarbide，简称SiC）功率器件是近年来电力电子领域的一项革命性技术。与传统的硅基功率器件相比，
工商网监
评论