买电脑时谁不想要个大内存呢,其他电子产品的存储器需求也是如此。大存储器对于像自动驾驶和智能设备这类被AI和ML技术加持的高性能计算应用则更加重要,因为它们通常需要实时计算结果,这个数据量可想而知。随着这类数据密集型应用日益普及,芯片开发者需要快速生成衍生设计和不同版本,才能更好地满足终端用户需求。 因此,存储器件变得容量越来越大,设计越来越复杂。在开发存储器件时,怎样做才能既满足严苛的性能、功耗、面积(PPA)目标,又能确保产品按时上市呢?
先进的存储器设计需要
不一样的开发流程
当今的存储器会更多地采用2.5D/3D结构的multi-die设计,这类架构十分具有挑战性。 以完整的存储器阵列为例,在设计先进的高带宽(HBM)DRAM或3D NAND闪存芯片时必须要考虑晶粒之间的互连以及电源分配网络(PDN),以便针对PPA和硅可靠性进行优化。 传统的存储器设计和验证技术已经无法支持先进的存储器件设计了。仿真大型阵列非常耗时,并且由于周转时间过长,会导致产品上市延迟。另外,在流程后期发现设计问题时,解决问题需要使用手动迭代循环,还会进一步导致延迟。 存储器设计和验证过程的“前移”是应对上述挑战的唯一方法。存储器设计前移让开发者们可以更早地执行更好的分析,避免流程后期出现意外,并最大限度地减少迭代。 通过前移还可以避免存储器开发中影响整体周转时间和上市时间的四个关键瓶颈:宏单元特征提取、模块设计优化、版图前到版图后的仿真差距,以及定制版图设计。首先来逐一探讨下这四个瓶颈。AI+ML,打破存储器设计瓶颈
瓶颈1:宏单元特征提取 存储器宏单元特征提取需要蒙特卡洛仿真,但在设计先进的存储器时,执行详尽蒙特卡洛仿真所需的时间和资源会大大增加,这使得其成为一个难以实现的解决方案。为了实现高西格玛特征提取并确保设计的稳健性,需要运行数十亿次的仿真。 机器学习技术恰好可以在这方面发挥作用。高精度的设计替代模型经过训练,能够预测高西格玛电路行为。通过采用该模型,可以显著减少仿真运行次数。 根据公开的案例分析,与传统方法相比,这种方法可以实现100-1000倍的加速,同时能够提供精度在1%以内的黄金SPICE结果。




实现存储器开发前移的最佳方法
新思科技定制设计系列中提供了上述所有相关技术,能够帮助开发者克服这四个主要的存储器设计和验证瓶颈。 新思科技PrimeSim连续电路仿真技术提供了机器学习驱动的高西格玛蒙特卡洛仿真和一致的工作流程,消除了点工具流程中固有的麻烦和不一致。 与新思科技PrimeWave设计环境相结合,PrimeSim解决方案还能提供早期寄生效应分析。此外,新思科技Custom Compiler设计和版图解决方案全面支持基于模板的设计再利用。
芯片的每一次更新换代,都意味着存储器设计和验证会变得愈加具有挑战性。新思科技拥有所有相关技术,助力开发者们实现存储器设计前移,缩短周转和上市时间,并实现开发者们所期望的PPA。
原文标题:兼顾PPA和上市时间,机器学习让存储器设计提速N个数量级
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